[发明专利]一种多层石墨烯电路板的制备方法

说明书

【技术领域】

本发明属于碳材料技术领域，具体是涉及一种氧化石墨烯的制备方法。

【背景技术】

石墨烯是目前发现的唯一存在的二维自由态原子晶体，是构筑零维富勒烯、一维碳纳米管、三维石墨的基本结构单元。它具有高电导、高热导、高硬度和高强度等奇特的物理、化学性质，在电子、信息、能源、材料和生物医药领域有广阔的应用前景。

石墨烯作为未来可能替代硅成为下一代半导体行业基础材料，其有着不一样的优良的性能。石墨烯具有远比硅高的载流子迁移率，石墨烯具有室温下高速的电子迁移率200 000 cm2 ∕ V·s、量子霍尔效应、高的理论比表面积2600 m2/g、还具有高热导率3000 W/m·K 和出色的力学性能( 高模量 1060GPa，高强度130GPa)，被认为在单分子探测器、集成电路、场效应晶体管等量子器件、功能性复合材料、储能材料、催化剂载体等方面有广泛的应用前景。

对于石墨烯的制备，一般都用到低压化学气相沉积的方法，因为这种方法可以制备大面积连续的石墨烯，比起撕石墨烯的方法简单快速便捷。然而在铜上生长石墨烯很难直接制备石墨烯器件,多层的石墨烯电路更是难以制造。

【发明内容】

针对现有技术中的上述技术问题，本发明提供了一种石墨烯电路板的制备方法，可以快速地进行多层石墨烯电路板的制作，步骤简单、快捷，环保、无污染。

为了解决上述存在的技术问题，本发明采用下述技术方案：

一种多层石墨烯电路板的制备方法，包括有如下步骤：

S1：提供氧化石墨烯溶液；

S2：提供可导电金属材料作为负极衬底；

S3：提供带电压的正极；

S4：在负极衬底上涂覆氧化石墨烯溶液；

S5：将带电压的正极接向氧化石墨烯溶液，在负极衬底上还原出石墨烯层；

S6：倾倒掉负极衬底上剩余的氧化石墨烯溶液；

S7：清洗负极衬底：

S8：腐蚀负极衬底，得到单层石墨烯电路板；

S9：在单层石墨烯电路板上涂覆绝缘薄膜；

S10：在绝缘薄膜上涂覆导电层；

S11：在导电层上涂覆氧化石墨烯溶液；

S12：将带电压的正极接向氧化石墨烯溶液，在导电层上还原出石墨烯层，得到双层石墨烯电路板；

S13：重复步骤S9至步骤12动作，得到多层石墨烯电路板。

在对上述一种多层石墨烯电路板的制备方法的改进方案中，所述的正极为可XY寻址移动的正极。

在对上述一种多层石墨烯电路板的制备方法的改进方案中，步骤S7中的清洗处理为去离子清洗。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明提供的多层石墨烯电路板的制备方法可以快速地进行多层石墨烯电路板的制作，而且可以快速地进行电路图案和路线的原型绘制和制作，其步骤简单、快捷，在制备的过程中由于不采用化学药品，环保、无污染。

下面结合具体实施方式对本发明作进一步的详细描述：

【具体实施方式】

一种多层石墨烯电路板的制备方法，包括有如下步骤：

S1：提供氧化石墨烯溶液；

S2：提供可导电金属材料作为负极衬底；

S3：提供带电压的正极，所述的正极可XY寻址；

S4：在负极衬底上涂覆氧化石墨烯溶液；

S5：将带电压的正极接向氧化石墨烯溶液，在负极衬底上还原出石墨烯层；

S6：倾倒掉负极衬底上剩余的氧化石墨烯溶液；

S7：去离子清洗负极衬底：

S8：腐蚀负极衬底，得到单层石墨烯电路板；

S9：在单层石墨烯电路板上涂覆绝缘薄膜；

S10：在绝缘薄膜上涂覆导电层；

S11：在导电层上涂覆氧化石墨烯溶液；

S12：将带电压的正极接向氧化石墨烯溶液，在导电层上还原出石墨烯层，得到双层石墨烯电路板；

S13：重复步骤S9至步骤12动作，得到多层石墨烯电路板。

在本发明的实施例中，所述的负极衬底为铜板，当然也可以为其他的导电材料。