[发明专利]制备宽谱带光敏电阻的光敏材料及该光敏电阻的制备方法

权利要求书

1.制备宽谱带光敏电阻的光敏材料，其特征在于，所述光敏材料由红外光光敏溶液喷涂在光敏电阻的陶瓷基体的表面形成，所述红外光光敏溶液包括混合物和离子水，所述混合物由以下重量百分比的各组分组成：

CdTe 35%-55%，CdSe 25%-45%，CdCl₂ 9%-29%，余量为CuCl₂；

将混合物溶解在离子水中得到红外光光敏溶液，所述光敏溶液中混合物与离子水的质量百分比为，混合物20%-40%，离子水60%-80%。

2.根据权利要求1所述的制备宽谱带光敏电阻的光敏材料，其特征在于，所述混合物各组分的重量百分比CdTe 45%，CdSe 35%， CdCl₂19%， CuCl₂ 1% ；

所述红外光光敏溶液中混合物与离子水的质量百分比为，混合物30%，离子水70%。

3.宽谱带光敏电阻的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：制备陶瓷基体；

步骤2：配置红外光光敏溶液；

步骤3：将红外光光敏溶液喷涂在陶瓷基体的表面，形成红外光光敏材料层；

步骤4：将步骤3喷涂后的陶瓷基体静置10-30分钟后，放入900℃-1100℃恒温烘箱中烘烤10-30分钟；

步骤5：将两个电极安装在步骤4形成的红外光光敏材料层两端，得到光敏电阻主体；

步骤6：在光敏电阻主体表面喷涂隔离层，得到光敏电阻。

4.根据权利要求3所述的宽谱带光敏电阻的制备方法，其特征在于，步骤2中，所述红外光光敏溶液，包括混合物和离子水，所述混合物由以下重量百分比的各组分组成：

CdTe 35%-55%，CdSe 25%-45%，CdCl₂ 9%-29%，余量为CuCl₂；

将混合物溶解在离子水中得到红外光光敏溶液，所述光敏溶液中混合物与离子水的质量百分比为，混合物20%-40%，离子水60%-80%。

5.根据权利要求3所述的宽谱带光敏电阻的制备方法，其特征在于，所述步骤4具体为，将步骤3喷涂后的陶瓷基体静置20分钟后，放入1000℃恒温烘箱中烘烤20分钟。

6.根据权利要求3所述的宽谱带光敏电阻的制备方法，其特征在于，所述陶瓷基体由纯度为90%以上的三氧化二铝材料制成。

7.根据权利要求3所述的宽谱带光敏电阻的制备方法，其特征在于，步骤3具体为，将步骤S2所得的红外光光敏溶液喷涂在陶瓷基体表面，喷涂5次，所述低成本宽谱带光敏材料层厚度为6微米。

8.根据权利要求3所述的宽谱带光敏电阻的制备方法，其特征在于，步骤6具体为，利用环氧树脂在光敏电阻主体表面，形成隔离层，所述隔离层厚度为4微米。

9.根据权利要求4所述的宽谱带光敏电阻的制备方法，其特征在于, 所述混合物各组分的重量百分比CdTe 45%，CdSe 35%， CdCl₂19%， CuCl₂ 1% ；

所述红外光光敏溶液中混合物与离子水的质量百分比为，混合物30%，离子水70%。