[发明专利]一种环腔纳米线电注入单光子源器件有效
| 申请号： | 201710028757.5 | 申请日： | 2017-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN106784213B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 陈飞良;李沫;黄锋;张晖;李倩;王旺平;康健彬;李俊泽;张健 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/10 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 注入 光子 器件 | ||
1.一种环腔纳米线电注入单光子源器件，其特征在于：包括p型电极（1）、pin纳米线（2）、量子点（3）、多层同心环腔（4）、n型电极（5）、下层n型材料（6）和衬底（7）；
所述衬底（7）位于最底层，衬底（7）的上面为下层n型材料（6），下层n型材料（6）的上面为pin纳米线（2）、量子点（3）、多层同心环腔（4）、n型电极（5），p型电极（1）位于pin纳米线（2）的上面；所述p型电极（1）材质包括石墨烯、ITO、AZO、Au、Ti、Ni、Pt中的一种或多种混合；对于从衬底正面向上出光的器件采用对出射光透明的材质，对于从衬底背面向下出光的器件采用对出射光高反射的材质；所述pin纳米线（2）由p型材料、本征型、n型材料构成pin结构；其中，p型材料位于最上层，与p型电极（1）形成欧姆接触；
所述多层同心环腔（4）以pin纳米线（2）为圆心位于 pin纳米线（2）的外层；
所述n型电极（5）以pin纳米线（2）为圆心呈环形位于多层同心环腔（4）的外层，且靠近下层n型材料（6）的边缘；
所述pin纳米线（2）位于下层n型材料（6）的中心上，量子点（3）嵌埋于pin纳米线（2）本征层中。
2.根据权利要求1所述的环腔纳米线电注入单光子源器件，其特征在于：所述量子点（3）位于pin纳米线（2）的本征层中，采用禁带宽度小于pin纳米线（2）的材料，与pin纳米线（2）一起构成单量子阱结构。
3.根据权利要求1所述的环腔纳米线电注入单光子源器件，其特征在于：所述多层同心环腔（4）由两种或多种折射率不同的材质交替构成，所述材质包括空气、介质绝缘材料、金属材料。
4.根据权利要求1所述的环腔纳米线电注入单光子源器件，其特征在于：所述n型电极（5）与下层n型材料（6）形成n型欧姆接触，n型电极（5）的材质包括石墨烯、ITO、AZO、Au、Ti、Ni、Pt中的一种或多种混合。
5.根据权利要求1所述的环腔纳米线电注入单光子源器件，其特征在于：所述下层n型材料（6）与pin纳米线（2）中的n型材料材质一致。
6.根据权利要求1所述的环腔纳米线电注入单光子源器件，其特征在于：所述衬底（7）对于从衬底背面向下出光的器件采用对出射光透明的材质。
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