[发明专利]一种高线性度高输出功率的功率放大器在审
| 申请号： | 201710028422.3 | 申请日： | 2017-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN108322193A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 马建国;郭思成;傅海鹏 | 申请（专利权）人： | 天津大学（青岛）海洋工程研究院有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/32 | 分类号： | H03F1/32;H03F3/193;H03F3/21;H03F3/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266200 山东省青岛市即*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率放大器 高输出功率 高线性度 电路结构 堆叠结构 电容补偿电路 辅助电路 设计过程 输出功率 栅源电容 堆叠式 高功率 线性度 电阻 栅端 芯片 期望 | ||
【权利要求书】：
1.一种高线性度高输出功率的功率放大器，其特征在于：利用NMOS管的串联排列形式，使用NMOS管的堆叠结构，将它们的源极与漏极顺次连接，从而将整体晶体管堆叠结构的最优负载阻抗升高；通过选择堆叠晶体管的尺寸和堆叠数目，使整个堆叠结构的最优负载阻抗接近50欧姆，甚至直接实现50欧姆的最优负载阻抗；使用串联的电阻作为分压电路，通过调整几个串联电阻的阻值比来调整每个NMOS管的栅极直流偏置电压；在NMOS管堆叠结构中，NMOS管栅极电容和栅极外置电容用于调整堆叠结构的漏极电压相位，保证堆叠结构晶体管的漏极电压的相位一致，以实现高功率输出。
2.根据权利要求1所述一种高线性度高输出功率的功率放大器，其特征在于：采用的电容补偿技术,在堆叠结构中的每个NMOS管的栅极加入一个PMOS管以补偿电容，使整体电路总的栅极电容值为定值，利用PMOS管补偿NMOS管的非线性,从而改善功率放大器的线性性能。
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