[发明专利]一种三维电场调制低漏电终端保护结构有效
| 申请号： | 201710027720.0 | 申请日： | 2017-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN106952944B | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 黄润华;柏松;陶永洪;汪玲 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 窦贤宇 |
| 地址： | 210016 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 三维 电场 调制 漏电 终端 保护 结构 | ||
1.一种三维电场调制低漏电终端保护结构，其特征在于，包括有源区、器件隔离区，以及位于所述有源区和器件隔离区之间的终端保护区，所述终端保护区具有多个多边形注入区；所述多边形注入区的各边与有源区主结形成一夹角，使得终端保护区的电场与有源区主结形成的夹角不等于90°，降低垂直于有源区部分的电场分量。
2.如权利要求1所述的一种三维电场调制低漏电终端保护结构，其特征在于，所述多边形注入区为三角形、六边形或菱形注入区。
3.如权利要求1所述的一种三维电场调制低漏电终端保护结构，其特征在于，所述多边形注入区成纵横排列。
4.如权利要求1所述的一种三维电场调制低漏电终端保护结构，其特征在于，所述终端保护区的掺杂为第一导电类型，所述多边形注入区的掺杂为第二导电类型。
5.如权利要求2所述的一种三维电场调制低漏电终端保护结构，其特征在于，所述多边形注入区为正多边形。
6.如权利要求2所述的一种三维电场调制低漏电终端保护结构，其特征在于，所述多边形注入区为正六边形注入区，所述正六边形注入区的高度为1-10微米，相邻正六边形注入区的间距为0.2-10微米。
7.如权利要求2所述的一种三维电场调制低漏电终端保护结构，其特征在于，所述多边形注入区为正三角形注入区。
8.如权利要求2所述的一种三维电场调制低漏电终端保护结构，其特征在于，所述多边形注入区为菱形注入区，菱形的各边长相等。
9.如权利要求1所述的一种三维电场调制低漏电终端保护结构，其特征在于，在倒角处，所述多边形注入区扭曲变形，使终端保护区电场方向与有源区边缘线形成预定的夹角。
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