[发明专利]一种低本底多普勒展宽深度分布测量系统及测量方法

权利要求书

1.一种低本底多普勒展宽深度分布测量系统，包括放置在水平电动平台上的参考样品、放射源和待测样品；碘化钠探测器、第一放大器、第一单道分析器，高纯锗探测器、第二放大器、第二单道分析器、前置放大器、第三放大器、模数转换器、多道分析器、计算机；其特征在于，还包括符合器和W-Cu准直器；

碘化钠探测器位于待测样品的一侧，与第一放大器和第一单道分析器相连；用于接收正电子在待测样品中湮灭产生的γ光子，产生脉冲信号I，输出到第一放大器；第一放大器将接收到的脉冲信号I放大后，输出到所述第一单道分析器；

第一单道分析器与符合器相连，第一单道分析器将接收到的脉冲信号I进行能量选择后输出到符合器；

W-Cu准直器位于待测样品的另一侧；高纯锗探测器位于W-Cu准直器的后方，分别与第二放大器和前置放大器相连，用于接收从狭缝里射出的γ光子，产生相应脉冲信号II，分别输出到前置放大器和第二放大器；

第二放大器与第二单道分析器相连，第二放大器将接收到的脉冲信号II放大后，输出到第二单道分析器；

前置放大器依次与第三放大器和模数转换器相连，脉冲信号II依次通过前置放大器和第三放大器放大后，输出到模数转换器；

第二单道分析器与符合器相连，第二单道分析器将接收到的脉冲信号II进行能量选择后，输出到符合器；

符合器依次与模数转换器和多道分析器相连，多道分析器与计算机相连；符合器输出门信号到模数转换器，模数转换器输出数字信号到多道分析器和计算机；

计算机连接水平电动平台，用于接收多道分析器的信号和控制水平电动平台的水平移动。

2.如权利要求1所述的低本底多普勒展宽深度分布测量系统，其特征在于，W-Cu准直器的狭缝宽度为80μm至150μm。

3.如权利要求1所述的低本底多普勒展宽深度分布测量系统，其特征在于，放射源夹在参考样品和待测样品之间；放射源采用⁶⁸Ge，E_max＝1.90MeV，正电子在固体中的注入深度不超过5mm；放射源由kapton高分子膜所包裹。

4.如权利要求1所述的低本底多普勒展宽深度分布测量系统，其特征在于，待测样品深度测量范围控制在0-2000μm；待测样品若为高分子材料，则深度测量范围控制在0-5000μm。

5.如权利要求1所述的低本底多普勒展宽深度分布测量系统，其特征在于，碘化钠探测器使用碘化钠闪烁体。

6.如权利要求1所述的低本底多普勒展宽深度分布测量系统，其特征在于，水平电动平台包括样品台、可控制的水平电动旋钮和底座；计算机控制水平电动旋钮，使样品台在水平方向移动。

7.如权利要求1所述的低本底多普勒展宽深度分布测量系统，其特征在于，γ光子能量为0.511MeV。

8.如权利要求7所述的低本底多普勒展宽深度分布测量系统，其特征在于，脉冲信号I、脉冲信号II为均由能量为0.511MeV的γ光子产生的脉冲信号。