[发明专利]触控基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种触控基板，包括基底，设置在所述基底上的多个触控电极块，其特征在于，所述触控基板还包括：

位于任意两相邻的所述触控电极块之间设置有填充块；

其中，所述填充块的材料的折射率为n₃，所述基底的材料的折射率为n₁，所述触控电极块的材料的折射率为n₂，且|n₂-n₃|＜|n₂-n₁|；

所述填充块的材料包括半导体材料；

所述触控电极块由所述半导体材料导体化形成，以使各个所述触控电极块与所述填充块为一体成型结构。

2.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于，所述填充块的材料的折射率n₃等于所述触控电极块的材料的折射率n₂。

3.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于，所述填充块将各个所述触控电极块之间的间隙完全填充。

4.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于，所述半导体材料为氧化物半导体材料。

5.一种触控基板的制备方法，其特征在于，包括：

在基底上依次沉积半导体材料层和光刻胶层；

对光刻胶层进行曝光、显影，去除与电极区对应的光刻胶，将该区域的半导体材料裸露；

对裸露的半导体材料进行等离子体处理或者离子注入，形成触控电极块；

去除剩余的光刻胶，以形成填充块；

其中，所述填充块的材料的折射率为n₃，所述基底的材料的折射率为n₁，所述触控电极块的材料的折射率为n₂，且n₁＜n₃＜n₂+(n₂-n₁)。

6.根据权利要求5所述的触控基板的制备方法，其特征在于，所述填充块的材料的折射率n₃等于所述触控电极块的材料的折射率n₂。

7.根据权利要求5所述的触控基板的制备方法，其特征在于，所述填充块将各个所述触控电极块之间的间隙完全填充。

8.根据权利要求5所述的触控基板的制备方法，其特征在于，所述半导体材料为氧化物半导体材料。

9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-4中任一项所述的触控基板。