[发明专利]一种Tm敏化的氧化钇基激光陶瓷及其制备方法有效
申请号: | 201710025092.2 | 申请日: | 2017-01-13 |
公开(公告)号: | CN106631022B | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 王焕平;杨清华;田颖;徐时清;雷若姗;赵士龙 | 申请(专利权)人: | 中国计量大学 |
主分类号: | C04B35/505 | 分类号: | C04B35/505 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 韩介梅 |
地址: | 310018 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 tm 氧化钇 激光 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1. 一种Tm敏化的氧化钇基激光陶瓷的制备方法,其特征在于,所述的陶瓷为(Y0.84Tm0.08Ho0.08)2O3-0.01(Y0.95La0.05)2O3,其中x=0.08,y=0.08,z=0.05,M=Ho,N=La;其制备方法如下:称取0.84 mol的硝酸钇、0.08 mol的硝酸铥、0.08 mol的硝酸钬放入去离子水中混合均匀,然后以氧化锆球为磨介,球磨混合4小时,干燥后再在1550 ℃煅烧2小时,获得(Y,Tm,Ho)2O3相粉体;称取0.0095 mol的硝酸钇、0.0005 mol的硝酸镧放入去离子水中混合均匀,然后加入上述合成的(Y,Tm,Ho)2O3相粉体,球磨混合4小时,随后将混合物进行喷雾干燥,除掉去离子水;将喷雾干燥后获得的粉体放入模具中,在10 MPa的压力下成型,然后升温到1050 ℃保温4小时,冷却后再放入等静压机中,在300 MPa下进行等静压;将等静压后的产物放在真空炉中,在1750 ℃保温4小时,冷却后再在1500 ℃的空气中退火2小时,即得到Tm敏化的氧化钇基激光陶瓷。
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