[发明专利]湿法刻蚀系统及湿法刻蚀方法在审
申请号: | 201710024793.4 | 申请日: | 2017-01-13 |
公开(公告)号: | CN106653659A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 薛大鹏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/3213 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 湿法 刻蚀 系统 方法 | ||
1.一种湿法刻蚀系统,其特征在于,包括:
刻蚀液储存装置,所述刻蚀液储存单元包括刻蚀液储罐、刻蚀液出口以及刻蚀液回收口,所述刻蚀液出口以及刻蚀液回收口设置在所述刻蚀液储罐上;
刻蚀装置,所述刻蚀单元分别与所述刻蚀液出口以及所述刻蚀液回收口相连,用于利用所述刻蚀液储罐中的刻蚀液对待刻蚀件进行刻蚀处理;
金属离子调节装置,所述金属离子调节装置与所述刻蚀液储存装置相连,用于调节所述刻蚀液中的金属离子浓度。
2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀系统,其特征在于,所述刻蚀装置包括:
喷淋单元,所述喷淋单元与所述刻蚀液出口相连,所述喷淋单元包括多个喷嘴,所述多个喷嘴用于喷淋所述刻蚀液;
传输单元,所述传输单元设置在所述喷淋单元的下方,所述传输单元用于放置并输送待刻蚀件;以及
刻蚀液回收单元,所述刻蚀液回收单元设置在所述传输单元下方且与所述刻蚀液回收口相连,用于回收所述刻蚀液。
3.根据权利要求2所述的湿法刻蚀系统,其特征在于,所述刻蚀装置进一步包括:
刻蚀液供给管路,所述刻蚀液供给管路分别与所述喷淋单元以及所述刻蚀液储存装置相连,所述刻蚀液供给管路上设置有泵、阀门、流量计以及温度计。
4.根据权利要求1所述的湿法刻蚀系统,其特征在于,所述金属离子调节装置包括:
金属离子检测器,所述金属离子检测器与所述刻蚀液储罐相连,用于检测所述刻蚀液储罐中所述刻蚀液的所述金属离子浓度;
刻蚀液循环管路,所述刻蚀液循环管路的两端分别与所述刻蚀液储罐相连;
金属离子添加单元,所述金属离子添加单元设置在所述刻蚀液循环管路上;
控制单元,所述控制单元分别与所述金属离子检测器以及所述刻蚀液循环管路相连,用于基于所述金属离子检测器的检测结果,控制所述刻蚀液循环管路与所述刻蚀液储罐之间的液体连通或断开。
5.根据权利要求1所述的湿法刻蚀系统,其特征在于,所述金属离子添加单元包括涂覆有金属粉的滤膜;
所述金属离子添加单元可拆卸地设置在所述刻蚀液循环管路上。
6.根据权利要求1所述的湿法刻蚀系统,其特征在于,所述刻蚀液储存装置进一步包括:
加热单元,所述加热单元与所述刻蚀液储罐相连,用于加热所述刻蚀液;以及
排气口,所述排气口设置在所述刻蚀液储罐上。
7.一种利用权利要求1-6任一项所述的系统进行湿法刻蚀的方法,其特征在于,包括:
将待刻蚀件置于刻蚀装置中,利用刻蚀液储存装置中的刻蚀液对所述刻蚀件进行所述湿法刻蚀,
其中,进行所述湿法刻蚀之前,预先利用所述金属离子调节装置,将用于所述湿法刻蚀的所述刻蚀液中的金属离子浓度调节至所述金属离子的饱和浓度。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述湿法刻蚀包括:
将所述待刻蚀件置于传输单元上,通过所述刻蚀液供给管路,将所述刻蚀液由所述刻蚀液储存装置中供给至所述喷淋单元的多个喷嘴中,并喷淋至所述待刻蚀件上;以及
利用所述刻蚀液回收单元回收剩余的所述刻蚀液,并供给回所述刻蚀液储存装置中。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述金属离子浓度的调节是通过以下步骤实现的:
利用所述金属离子检测器,检测所述刻蚀液储存装置中的所述刻蚀液的金属离子浓度;
当所述金属离子浓度小于所述饱和浓度时,通过控制单元使所述刻蚀液循环管路以及所述刻蚀液储罐之间液体连通,以便利用所述金属离子添加单元增加所述刻蚀液中的所述金属离子浓度。
10.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,进一步包括:
开启所述刻蚀液储存装置中的所述排气口;以及
利用加热单元对所述刻蚀液进行加热。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造