[发明专利]一种低压断电保护控制电路在审
| 申请号: | 201710023954.8 | 申请日: | 2017-01-13 |
| 公开(公告)号: | CN106786356A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
| 发明(设计)人: | 王美靖;乔凤普;蒋任君;戚于飞;李鑫 | 申请(专利权)人: | 中国北方车辆研究所 |
| 主分类号: | H02H3/24 | 分类号: | H02H3/24;H02H11/00 |
| 代理公司: | 北京安博达知识产权代理有限公司11271 | 代理人: | 徐国文 |
| 地址: | 100072*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 低压 断电 保护 控制电路 | ||
1.一种低压断电保护控制电路,其特征在于,所述低压断电保护控制电路集成在电机控制器的电源板上,其包括低压滤波防反接保护电路和低压断电保护电路;
所述低压滤波防反接保护电路对输入电源进行前级处理,所述低压断电保护电路挂接在低压滤波防反接保护电路的后端,用于实现延时断电。
2.根据权利要求1所述的低压断电保护控制电路,其特征在于,所述低压滤波防反接保护电路包括电容C1、MOS管Q1、MOS管Q2、二极管D1、二极管D2、电容E1、电容E2、电容E3、电阻R1和电阻R2。
3.根据权利要求2所述的低压断电保护控制电路,其特征在于,所述电容C1的第一端接地,其第二端连接低压滤波防反接保护电路的输入端,电容C1的第二端同时连接MOS管Q1的漏极,所述MOS管Q1的源极连接MOS管Q2的漏极;所述二极管D1的阳极接地,其阴极连接MOS管Q1的源极;所述二极管D2的阳极和电阻R1的第一端均连接MOS管Q1的栅极,二极管D2的阴极和电阻R1的第二端均连接MOS管Q1的源极,所述MOS管Q2的栅极同时连接电阻R2的第二端和MOS管Q1的栅极,所述电阻R2的第一端连接低压断电保护电路中三极管Q3的集电极;所述电容E1、电容E2、电容E3的第一端均连接所述MOS管Q2的的源极,三者的第二端均接地;所述MOS管Q2的的源极同时连接低压滤波防反接保护电路的输出端。
4.根据权利要求1所述的低压断电保护控制电路,其特征在于,所述低压断电保护电路包括电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、二极管D3、二极管D4、三极管Q3、三极管Q4以及隔离芯片U1。
5.根据权利要求4所述的低压断电保护控制电路,其特征在于,所述电容C2和电阻R3的第一端均接地,两者的第二端均连接上电信号;所述二极管D3的阳极连接上电信号,其阴极连接电阻R4的第一端,所述电阻R4的第二端连接三极管Q3的基极,所述三极管Q3的集电极连接三极管Q4的集电极,所述三极管Q3的发射极和电阻R5的第二端均接地,所述电阻R5的第一端连接三极管Q3的基极;所述三极管Q4的基极连接电阻R6的第一端,同时连接电阻R7的第一端,三极管Q4的发射极和电阻R7的第二端均接地;所述电阻R6的第二端连接隔离芯片U1;
所述电阻R8的第一端连接二极管D3的阴极,其第二端连接电容C3的第一端,所述电容C3的第二端和二极管D4的阳极均接地,所述二极管D4的阴极连接电容C3第一端的同时,连接隔离芯片U1;
所述电容C4、C5的第一端均接地,两者的第二端均连接VCC。
6.根据权利要求1所述的低压断电保护控制电路,其特征在于,高低压供电电路为电机提供900V高压DC电源,同时为电机控制器提供28V低压DC电源。
7.根据权利要求1或6所述的低压断电保护控制电路,其特征在于,所述电机控制器包括DSP模块和CPLD模块。
8.根据权利要求6所述的低压断电保护控制电路,其特征在于,所述高低压供电电路包括900V高压发电机、高压锂离子电池、28V低压铅酸蓄电池和900-28V DC/DC电源。
9.根据权利要求6所述的低压断电保护控制电路,其特征在于,所述低压滤波防反接保护电路的输入端与高低压供电电路的输出28V连接,其输出端与电机控制器输入电源连接。
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