[发明专利]具有凹槽结构的金属氧化半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种具有凹槽结构的金属氧化半导体MOS元件，其特征在于，包含：

一半导体基板，其于一纵向上具有大致上彼此平行的多个绝缘结构以定义一元件区，且该半导体基板于一垂直方向上，具有相对的一上表面与一下表面，其中，一第一凹槽结构及一第二凹槽结构形成于该上表面上，该第一凹槽结构及该第二凹槽结构沿着该纵向大致上彼此平行；

一栅极，位于该半导体基板的该上表面上的该元件区中；

一源极与一漏极，位于该栅极下方的外部两侧；以及

与该源极及该漏极相同传导型态的二轻掺杂扩散LDD区，分别位于该栅极下方两侧；

其中，于该第一凹槽结构及该第二凹槽结构中，填入导电材质以作为接触材料，且由剖视图视之，该第一凹槽结构及该第二凹槽结构位于该栅极下方的外部两侧，并分别介于该栅极与该绝缘结构之间；

其中，该第一凹槽结构于该横向上具有靠近该栅极的一第一边界及远离该栅极的一第二边界，该第二凹槽结构于该横向上具有靠近该栅极的一第三边界及远离该栅极的一第四边界；

其中，该第一边界及该第三边界，于该横向上，不进入该栅极所具有的一介电层的正下方的区域；

其中，该第一凹槽结构及该第二凹槽结构，由剖视图视之，其深度，自该半导体基板的该上表面开始沿着该垂直方向而向下计算，深于该二轻掺杂扩散区各自于该垂直方向上的深度；

其中，由剖视图视之，该源极与该漏极分别于该第一边界与该第三边界外部的该垂直方向上，具有一垂直连接部，分别与该二轻掺杂扩散区连接。

2.如权利要求1所述的具有凹槽结构的金属氧化半导体元件，其中，该二轻掺杂扩散LDD区，于该横向上，分别不与该源极及该漏极连接。

3.如权利要求1所述的具有凹槽结构的金属氧化半导体元件，其中，该第一凹槽结构及该第二凹槽结构，由剖视图视之，其深度，自该半导体基板的该上表面开始沿着该垂直方向而向下计算，不深于该绝缘结构于该垂直方向上的深度。

4.如权利要求1所述的具有凹槽结构的金属氧化半导体元件，其中，该第一凹槽结构及该第二凹槽结构，由剖视图视之，其深度，自该半导体基板的该上表面开始沿着该垂直方向而向下计算，不深于5000埃。

5.如权利要求1所述的具有凹槽结构的金属氧化半导体元件，其中，该绝缘结构包括一区域氧化LOCOS结构或一浅沟槽绝缘STI结构。

6.一种具有凹槽结构的金属氧化半导体元件，其特征在于，包含：

一半导体基板，其于一纵向上具有大致上彼此平行的多个绝缘结构以定义一元件区，且该半导体基板于一垂直方向上，具有相对的一上表面与一下表面，其中，一凹槽结构形成于该上表面上；

一栅极，位于该半导体基板的该上表面上的该元件区中；

一源极与一漏极，位于该栅极下方的外部两侧；以及

与该源极及该漏极相同传导型态的二轻掺杂扩散区，分别位于该栅极下方两侧；

其中，于该凹槽结构中，填入导电材质以作为接触材料，且由剖视图视之，该凹槽结构位于该栅极下方的外部的一侧，且该凹槽结构，由剖视图视之，其与该漏极位于同一侧，并介于该栅极与该绝缘结构之间；

其中，该凹槽结构于该横向上具有靠近该栅极的一第一边界及远离该栅极的一第二边界；

其中，该第一边界，于该横向上，不进入该栅极所具有的一介电层的正下方的区域；

其中，该凹槽结构，由剖视图视之，其深度，自该半导体基板的该上表面开始沿着该垂直方向而向下计算，深于与该漏极位于同一侧的其中之一的该轻掺杂扩散区于纵向上的深度；

其中，由剖视图视之，该漏极于该第一边界外部的该垂直方向上，具有一垂直连接部，与和该漏极位于同一侧的其中的一的该轻掺杂扩散区连接。

7.如权利要求6所述的具有凹槽结构的金属氧化半导体元件，其中，与该漏极位于同一侧的其中之一的该轻掺杂扩散区，于该横向上，不与该漏极连接；且，其中，与该源极位于同一侧的其中的另一的该轻掺杂扩散LDD区，于该横向上，与该源极连接。