[发明专利]高亮度有机发光二极管显示器

说明书

本发明涉及一种高亮度有机发光二极管显示器。本发明提出一种有机发光二极管显示器，包括：数据线、扫描线和驱动电流线，所述数据线、扫描线和驱动电流线在基板上限定像素区域；阳极，形成于所述像素区域内；附加电容，所述附加电容通过使所述阳极的延伸部分与所述驱动电流线的某些部分重叠而形成；堤，所述堤限定所述阳极中的发光区域；有机发光层，形成于所述阳极上；以及阴极，形成于所述有机发光层上，其中所述附加电容形成在所述发光区域的外部，并且所述堤在所述附加电容的整个区域上方并且在位于所述像素区域内的发光区域的外部的整个区域上方。

本申请是申请日为2013年12月11日、申请号为201310674363.9、发明名称为“高亮度有机发光二极管显示器”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种高亮度有机发光二极管显示器。本发明尤其涉及一种通过增加阳极电容及有机发光二极管自身的电容来实现低功耗的高亮度有机发光二极管显示器。

背景技术

目前，多种平板显示装置已被开发出来，用于克服阴极射线管的例如重量大、体积大的许多缺陷。平板显示装置包括液晶显示装置(LCD)、场致发射显示器(FED)、等离子显示面板(PDP)和电致发光装置(EL)。

根据发光材料，电致发光显示装置分类为无机发光二极管显示装置和有机发光二极管显示装置。作为自发光显示装置，电致发光显示装置的优点是反应速度非常快，亮度非常高，且可视角度大。

图1为显示有机发光二极管结构的示意图。如图1中所示，有机发光二极管包括有机发光材料层以及彼此相对的阴极和阳极，有机发光材料层位于阴极和阳极之间。有机发光材料层包括空穴注入层HIL，空穴传输层HTL，发射层EML，电子传输层ETL和电子注入层EIL。由于在激发态中空穴和电子在发射层EML重新组合形成激子而产生的能量，有机发光二极管发出光。

由于在激发态中来自阳极的空穴和来自阴极的电子在发射层EML重新组合形成激子而产生的能量，有机发光二极管发出光。如图1中所示，通过控制有机发光二极管的发射层EML所产生和发出的光量(或“亮度”)，有机发光二极管显示器可以呈现视频数据。

使用有机发光二极管的有机发光二极管显示器(OLED)可分类为无源矩阵型有机发光二极管显示器(PMOLED)和有源矩阵型有机发光二极管显示器(AMOLED)。

通过利用薄膜晶体管(TFT)控制提供给有机发光二极管的电流，有源矩阵型有机发光二极管显示器(AMOLED)显示视频数据。

图2为显示有源矩阵型有机发光二极管显示器(AMOLED)中的一个像素的结构的示例性电路图。图3为显示AMOLED中的一个像素的结构的平面图。图4为显示AMOLED的结构的沿切割线I-I’的截面图。

参考图2和3，底部发光型的有源矩阵发光二极管显示器包括：开关薄膜晶体管ST，与开关薄膜晶体管ST连接的驱动薄膜晶体管DT，以及与驱动薄膜晶体管DT连接的有机发光二极管OLED。通过布置在基板SUB上的扫描线SL、数据线DL和驱动电流线VDD限定像素区域。有机发光二极管OLED形成于一个像素区域中，从而在该像素区域内限定发光区域。

开关薄膜晶体管ST形成于扫描线SL和数据线DL的交叉处。开关薄膜晶体管ST用于选择与该开关薄膜晶体管ST连接的像素。开关薄膜晶体管ST包括从栅极线GL分岔的栅极SG、与栅极SG重叠的半导体通道层SA、源极SS和漏极SD。驱动薄膜晶体管DT用于驱动由开关薄膜晶体管ST所选择的像素上布置的有机发光二极管OD的阳极ANO。驱动薄膜晶体管DT包括与开关薄膜晶体管ST的漏极SD连接的栅极DG、半导体通道层DA、与驱动电流线VDD连接的源极DS、以及漏极DD。驱动薄膜晶体管DT的漏极DD与有机发光二极管OLED的阳极ANO连接。