[发明专利]制造含高电阻率层的半导体结构的方法及相关半导体结构

权利要求书

1.一种形成半导体结构(140、240)的方法，包括：

在初始衬底(102)上形成器件层(100、200)；

将器件层(100、200)的第一表面附接至临时衬底(114、214)；

形成高电阻率层(136、236)，其中，形成高电阻率层包括：通过减薄来去除初始衬底(102)的一部分，从而留下初始衬底的剩余部分(102'、202')；形成延伸通过初始衬底(102)的剩余部分(102'、202')的多个穿孔(128、228)；以及选择具有大于10000Ohm·cm的电阻率的高电阻率材料(238)；

将最终衬底(132、232)附接至高电阻率层(136、236)；以及

去除临时衬底(114、214)。

2.根据权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中，通过初始衬底(102)的剩余部分(102'、202')形成多个穿孔(128、228)进一步包括：

在初始衬底(102)的剩余部分(102')的暴露表面(120)上形成遮罩层(124)，以及

通过初始衬底(102)的未遮罩的剩余部分(126)而刻蚀穿孔(128)。

3.根据权利要求2所述的形成半导体结构的方法，其中，遮罩层(124)包括多个遮罩元件，并且所述方法进一步包括：将所述多个遮罩元件的总表面面积选择为小于初始衬底(102)的剩余部分(102')的暴露表面(120)的总表面面积的百分之七十五。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的形成半导体结构的方法，其中，将最终衬底(132)附接至高电阻率层(136)包括将最终衬底(132)附接至所述多个穿孔(128)，所述多个穿孔形成在最终衬底(132)与器件层(100)之间的多个空腔(134)。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的形成半导体结构的方法，进一步包括在所述多个穿孔(128、228)上形成高电阻率材料(238)。

6.根据权利要求5所述的形成半导体结构的方法，进一步包括将高电阻率材料(238)选择为包括氧化硅、氮化硅、高电阻率聚合物、聚酰亚胺或陶瓷胶中的至少一种。

7.一种半导体结构(140、240)，包括：

最终衬底(132、232)；

高电阻率层(136、236)，其设置在最终衬底(132、232)上；高电阻率层(136、236)包括：初始衬底(102)的剩余部分(102'、202')，

以及多个穿孔(128、228)，其延伸通过所述剩余部分(102'、202')，

以及射频电子器件层(100、200)，其设置在高电阻率层(136、236)上，

其中，高电阻率层(136、236)包括平均电阻率大于10000Ohm·cm的层。

8.根据权利要求7所述的半导体结构(140)，其中，高电阻率层(136)包括初始衬底(102)的剩余部分(102')以及由多个穿孔(128)和附接在多个穿孔(128)上的最终衬底(132)形成的多个空腔(134)。

9.根据权利要求7所述的半导体结构(240)，其中，高电阻率层(236)进一步包括设置在多个穿孔(228)上的高电阻率材料(238)。

10.根据权利要求9所述的半导体结构(240)，其中，高电阻率材料(238)包括氧化硅、氮化硅、高电阻率聚合物、聚酰亚胺或陶瓷胶中的一种或多种。