[发明专利]用于减薄硅片加工的撕膜操作台有效
| 申请号： | 201710021164.6 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN106611735B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 江海波;胡莉娟;陶启林;邓刚;王晓强 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 侯懋琪;侯春乐 |
| 地址： | 400060 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 硅片 加工 操作台 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于减薄硅片加工的撕膜操作台，其特征在于：所述撕膜操作台由底座(1)、支撑板(2)、多根连接柱(3)和连接嘴(4)组成；所述支撑板(2)为环形结构体，支撑板(2)的上端面形成操作面，所述操作面上设置有环形凹槽，环形凹槽位于支撑板(2)内孔的外围，支撑板(2)的下端面上设置有一连接孔，连接孔的底部与环形凹槽的底部连通，所述连接嘴(4)的上端套接在连接孔内；所述支撑板(2)设置在底座(1)的正上方，支撑板(2)的上端面与底座(1)的下端面平行；连接柱(3)的上端与支撑板(2)的下端面连接，连接柱(3)的下端与底座(1)的上端面连接，多根连接柱(3)沿支撑板(2)周向设置，连接嘴(4)位于支撑板(2)下端面上相邻连接柱(3)之间的位置，连接嘴(4)与负压提供装置连接。
2.根据权利要求1所述的用于减薄硅片加工的撕膜操作台，其特征在于：所述操作面的一侧设置有台阶面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所，未经中国电子科技集团公司第四十四研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710021164.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
