[发明专利]有机发光二极管装置及其制作方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管装置，包括基板、设于所述基板的OLED单元及形成于所述OLED单元表面且用于封装所述OLED单元的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括设置在OLED单元表面的水氧吸收层、涂覆在水氧吸收层表面的无机纳米-有机共聚物混合层以及沉积在无机纳米-有机共聚物混合层表面的无机阻隔层，所述水氧吸收层含有金属烷氧物，所述无机纳米-有机共聚物混合层由前驱体经水解和致密化反应生成的凝胶固化而成，所述前驱体包括形成金属烷氧物的第一前驱体。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述无机纳米-有机共聚物混合层包含高分子交联体和通过共价键螯合在所述高分子交联体上的无机纳米颗粒。

3.根据权利要求2所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述无机纳米颗粒的通式为M_xO_y或M_xS_y，其中M选自I-VIA主族元素或/和过渡金属元素。

4.根据权利要求3所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述无机纳米颗粒为TiO₂、Al₂O₃、SiO₂、Sn₂O₃、ZrO、TiS₂、Al₂S₃、SiS₂、SnS₂或S₂Zr中的至少一种；所述无机纳米颗粒的折射率大于1.4。

5.根据权利要求2所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述高分子交联体为碳链聚合物、有机硅聚合物或杂链聚合物中的至少一种。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述无机纳米-有机共聚物混合层的厚度为1nm-10μm。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述无机阻隔层由氮化物、碳化物、碳氮化物、氧化物或碳氧化物中的至少一种材料制成，其厚度为1nm-10μm。

8.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述金属烷氧化物中的金属元素选自Ⅰ-Ⅵ族金属元素或过渡金属元素。

9.根据权利要求8所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述水氧吸收层的厚度大于等于1A。

10.一种有机发光二极管装置的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基板和OLED单元，并将所述OLED单元沉积于所述基板上；

在所述OLED单元外表面涂覆金属烷氧物形成水氧吸收层；

将第一前驱体、形成硅氧烷的第二前驱体和形成双功能团有机物的第三前躯体通过湿法旋涂工艺涂覆在所述水氧吸收层表面，发生水解和致密化反应，形成含有纳米颗粒的凝胶，将含有纳米颗粒的凝胶固化形成无机纳米-有机共聚物混合层；

在所述无机纳米-有机共聚物混合层上沉积无机阻隔层，所述水氧吸收层、所述无机纳米-有机共聚物混合层和所述无机阻隔层形成所述OLED单元的封装结构。