[发明专利]一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池，包括P型硅基体，其特征在于，所述P型硅基体的正面设置有磷扩散层，所述磷扩散层的正面设置有绒面织构，所述绒面织构的正面设置有减反钝化膜，所述减反钝化膜的正面设置有正面银电极；

所述P型硅基体的背面设置有纳米氧化硅层，所述纳米氧化硅层的背面设置有非晶或多晶P⁺层，所述非晶或多晶P⁺层的背面设置有透明导电薄膜层，所述透明导电薄膜层的背面设置有背面银电极。

2.根据权利要求1所述的喷墨打印双面晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述P型硅基体为p型硅片，其电阻率为0.5-6Ω·cm；

所述减反钝化膜为SiNx钝化膜或SiO₂/SiNx叠层钝化膜。

3.根据权利要求1所述的喷墨打印双面晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述纳米氧化硅层的厚度为0.3-5nm；

所述非晶或多晶P⁺层的厚度为10-1000nm，掺杂浓度为10¹⁷～10²²cm^-3；

所述透明导电薄膜层的厚度为10-500nm。

4.一种如权利要求1-3任一项所述的喷墨打印双面晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)去除P型硅基体表面的损伤层并制绒；

2)在步骤1)中得到的产品的表面进行刻蚀，形成全黑凹凸表面结构，并进行绒面修饰，形成绒面织构；

3)在步骤2)中得到的产品的表面进行磷扩散制结，形成磷扩散层；

4)在步骤3)中得到的产品的边缘进行刻蚀，背面进行去结和去PSG；

5)在步骤4)中得到的产品的正面进行减反钝化膜沉积，形成减反钝化膜；

6)在步骤5)中得到的产品的背面进行纳米氧化硅生长，形成纳米氧化硅层；

7)在步骤6)中得到的产品的背面进行掺杂硼非晶或多晶硅沉积，形成非晶或多晶P⁺层；

8)在步骤7)中得到的产品的背面进行透明导电薄膜沉积，形成透明导电薄膜层；

9)在步骤8)中得到的产品的正面采用喷墨打印方式，形成正面银电极；

10)在步骤9)中得到的产品的背面采用喷墨打印方式，形成背面银电极。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述制绒具体为：采用槽式热碱方式。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中，所述刻蚀具体为：采用SF₆气体的反应离子刻蚀、激光刻蚀或金属离子催化反应方式；

所述绒面修饰具体为：采用碱溶液清洗方式。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤4)中，所述刻蚀、去结和去PSG具体为：采用在线式水上漂清洗方式。

8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤6)中，所述纳米氧化硅生长具体为：采用湿法氧化、臭氧氧化、热氧化、原子层沉积生长或低压化学气相沉积方式。

9.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤7)中，所述掺杂硼非晶或多晶硅沉积具体为：采用低压化学气相沉积方式。

10.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤8)中，所述透明导电薄膜沉积具体为：采用磁控溅射方式。