[发明专利]用于制造控制的信号检测方法

权利要求书

1.一种方法，其特征为，该方法包括：

通过一编程处理器收集在一半导体设备制造的处理步骤期间的电子特征形式的晶圆级数据；

在各该处理步骤期间将该电子特征转换为信号矩阵(MS)建模参数；

比较该MS建模参数与预定的MS建模参数；以及

根据该比较步骤的一结果，调整至少一处理步骤以用于制程控制。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征为，该方法包括：

在该半导体设置制造中的模拟处理步骤期间收集该晶圆级数据。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征为，该半导体设备表现为模拟高密度模式。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征为，收集该晶圆级数据包括：

收集临界尺寸(CD)、厚度、电阻(RS)、叠对误差(OVL)以及光学临界尺寸(OCD)的计量系统数据。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征为，该方法包括：

使用第三阶或更高的建模收集该晶圆级数据。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征为，调整至少一处理步骤包括：

调整在该半导体设备的实际生产中使用的处理设备的设置。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征为，该方法包括：

在该处理步骤期间，收集该晶圆整个表面的晶圆级数据。

8.根据权利要求2所述的方法，其特征为，该方法还包括：

优化该晶圆级数据以改善一半导体设备最终产品的漏电流。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征为，该方法还包括：

优化该晶圆级数据以改善一半导体设备最终产品的性能。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征为，该方法还包括：

在该调整步骤之前生成一早期预警信号。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征为，该方法还包括：

为了补偿目的而保持该电子特征。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征为，该方法还包括：

控制MS建模参数的形状分布。

13.一种设备，其特征为，该设备包括：

一模拟器，用于在一半导体设备的处理期间生成该半导体设备的一高密度模型；以及

一处理器，其配置为：

在该半导体设备制造的处理步骤期间收集电子特征形式的晶圆级数据；

于各该处理步骤期间，将该电子特征转换为信号矩阵(MS)建模参数；

比较该MS建模参数与预定的MS建模参数；以及

根据该比较步骤的一结果，调整至少一处理步骤以用于制程控制。

14.根据权利要求13所述的设备，其特征为，该处理器配置为收集临界尺寸(CD)、厚度、电阻(RS)、叠对误差(OVL)以及光学临界尺寸(OCD)的计量系统数据。

15.根据权利要求13所述的设备，其特征为，该处理器配置为收集第三阶或更高建模的该晶圆级数据。

16.根据权利要求13所述的设备，其特征为，该处理器配置为调整该半导体设备在实际制造中所使用的处理设备的一个或多个设置。

17.根据权利要求16所述的设备，其特征为，该处理器配置为在调整该处理设备的一个或多个设置之前生成一早期预警信号。

18.根据权利要求13所述的设备，其特征为，该处理器配置为在该处理步骤期间收集该晶圆整个表面的晶圆级数据。

19.根据权利要求13所述的设备，其特征我，该处理器配置为优化该晶圆级数据以改善一半导体设备最终产品的漏电流以及性能。

20.一种方法，其特征为，该方法包括：

通过一编程处理器收集在一半导体设备制造的模拟处理步骤期间的电子特征形式的晶圆级数据；

在各该处理步骤期间，将该电子特征转换为信号矩阵(MS)建模参数；

比较该MS建模参数与预定MS建模参数；

当检测到一有缺陷的MS建模参数时，生成一早期预警信号；以及

根据该比较步骤的一结果，调整至少一处理步骤以用于制程控制。

21.根据权利要求20所述的方法，其特征为，该方法还包括：

优化该晶圆级数据以改善该半导体设备最终产品的漏电流及性能。