[发明专利]一种高纯半绝缘碳化硅衬底的制备方法有效
| 申请号： | 201710019521.5 | 申请日： | 2017-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN106757357B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 高超;宗艳民;李长进;李加林 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B33/02 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 赵斌;苗峻 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 绝缘 碳化硅 衬底 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高纯半绝缘碳化硅衬底的制备方法，其特征在于：具体步骤如下：
（1）原材料准备：
将生长出的合格碳化硅单晶进行粗加工，切割得到厚度为3-8 mm的晶棒或将生长出的碳化硅单晶进行加工切片，得到厚度为300-800 μm的碳化硅晶片；
（2）将上述规格的晶棒或晶片放入高温快速退火炉腔室中，升温速率60-100 °C /s，设置退火温度为2000-2500 °C，退火时间为300-600 s，通入惰性气体作为保护气氛；
（3）将退火结束的晶棒快速拉出退火腔室并在保护气氛中快速冷却，降温速率100-150°C/s；
步骤（3）中快速冷却采用快速减小退火炉功率+水冷风冷来实现，或将退火后的碳化硅晶片或晶棒由垂直的高温炉膛直接通过通道浸入下面放置的甲基硅油中冷却来实现。
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