[发明专利]一种环形振荡器在审

专利信息
申请号: 201710018343.4 申请日: 2017-01-10
公开(公告)号: CN106888004A 公开(公告)日: 2017-06-23
发明(设计)人: 张晓晨 申请(专利权)人: 西安紫光国芯半导体有限公司
主分类号: H03K3/03 分类号: H03K3/03;H03K3/011
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司61211 代理人: 商宇科
地址: 710055 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 环形 振荡器
【说明书】:

技术领域

发明为一种环形振荡器,尤其是一种对电源电压不敏感的环形振荡器。

背景技术

当前较大规模的集成电路系统中,数字部分电路都需要一个比较精准的时钟信号,用作同步信号及定时信号。传统的时钟信号使用片外石英晶体振荡器得到,石英晶体振荡器具有很高的稳定性,但是难以集成到片内,而且成本较高。因此越来越多的电路采用内部集成的时钟振荡器,常见的有环形振荡器、张弛振荡器和LC振荡器。其中环形振荡器因为结构简单,功耗较小被很多广泛采用,但是由于稳定度不高,只用于对时钟信号要求不高的系统中。

参见图1,为了提高环形振荡器的稳定性,一种由电流控制的环形振荡器结构被发明出来。通过控制反相器上拉电流与下拉电流,使反相器的上升沿下降沿延时可控,以获得较为稳定的振荡频率。但该结构仍然有一个明显的弊端,其随电源电压变化会有明显的频率抖动。

发明内容

为了解决背景技术中存在的上述技术问题,本发明提供一种对电源电压不敏感的环形振荡器,能够极大的减弱电源电压对反相器延迟单元的影响,从而提高振荡器精度。

本发明的技术解决方案是:本发明为一种环形振荡器,其特殊之处在于:该振荡器包括电流电压转换单元、振荡单元和分频电路,电流电压转换单元与振荡单元连接,振荡单元与分频电路连接。

上述电流电压转换单元由两个二极管连接的N型场效应晶体管串联构成。

上述振荡单元包括延迟单元,延迟单元包含上拉管P2和下拉管N16,上拉管P2源端接电源,栅极接延迟单元的输入,漏端接输出;下拉管N16源端接镜像电流源输出,栅极接延迟单元输入,漏端接输出;延迟单元包含由镜像管N6和共源共栅管N5组成的镜像电流源,镜像管N6的漏端与共源共栅管N5的源端相连,镜像管N6的源端接地,共源共栅管N5漏端接下拉管N16的源端,镜像管N6的栅极接偏置电压Vb,共源共栅管N5的栅极接共源共栅电压Vc;偏置电压Vb与共源共栅电压Vc由电流电压转换单元产生。

上述延迟单元中还包含一个NMOS管构成的反馈管,反馈管的栅极接延迟单元输出,漏端接延迟单元输入,源端接地。

上述延迟单元中还包含一个NMOS管构成的负载电容,电容的栅极连接延迟单元输出,源端漏端接地。

上述分频电路为二分频电路,由D触发器与反相器构成,反相器将D触发器的Q端输出反相后接D触发器的输入端,D触发器的CK端接振荡单元的输出。

上述振荡单元包括N级相同的延迟单元,各级延迟单元的输出端与下一级延迟单元的输入端连接,最末级的输出端与第一级的输入端连接。

上述N是大于等于3的奇数。

本发明具有以下优点:

1、本发明所采用的电流电压转换单元,使用共源共栅结构,能极大提高电流镜像的精准度。

2、本发明的延迟单元,使用电流控制下降沿延迟,并去除电源电压(VDD)对下降沿延迟的影响,使用P型场效应晶体管(PMOS)的阈值电压(VTHP)替代;同时使用反馈加快上升沿延迟,进一步减弱VDD对振荡器频率的影响。

附图说明

图1为现有的电流控制的环形振荡器的结构示意图;

图2为本发明中延迟单元的结构示意图

图3为本发明具体实施例的结构示意图。

具体实施方式

参见图2,3,本发明的具体实例例由电流电压转换单元,振荡单元和分频单元组成。

电流电压转换单元包括镜像管与共源共栅管,分别由两个二极管连接的N型场效应晶体管(NMOS)N1和N2串联构成,将控制电流(IREF)转化为控制电压Vb与Vc。Vb与Vc控制延迟单元中下拉电流镜像管(N3,N4,N5,N6,N7,N8),为延迟单元提供稳定的下拉电流。

振荡单元包括了三个延迟单元,以延迟单元2为例描述。

包含上拉管P2和下拉管N16,上拉管P2源端接电源,栅极接延迟单元的输入,漏端接输出;下拉管N16源端接镜像电流源输出,栅极接延迟单元输入,漏端接输出;延迟单元包含由镜像管N6和共源共栅管N5组成的镜像电流源,镜像管N6的漏端与共源共栅管N5的源端相连,镜像管N6的源端接地,共源共栅管N5漏端接下拉管N16的源端,镜像管N6的栅极接偏置电压Vb,共源共栅管N5的栅极接共源共栅电压Vc;偏置电压Vb与共源共栅电压Vc由电流电压转换单元产生。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安紫光国芯半导体有限公司,未经西安紫光国芯半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710018343.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top