[发明专利]制造半导体装置的方法

说明书

本发明提供了一种制造半导体装置的方法。所述方法可包括以下步骤：蚀刻外围区上的本体图案以形成图案并且随后在单元区和外围区二者上形成层。所述方法可包括：形成从单元区延伸至外围区上的线图案；以及随后在单元区和外围区二者上形成层。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年1月11日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2016-0003326的优先权，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。

技术领域

本公开一般涉及制造半导体装置的方法，并且更具体地说，涉及制造包括线形结构的半导体装置的方法。

背景技术

由于半导体装置的小尺寸、执行多功能的能力和/或低制造成本，半导体装置被广泛用作电子工业中的重要元件。然而，随着电子工业的发展，半导体装置变得越来越高度集成，并且会出现许多技术问题。例如，随着半导体装置的集成密度增大，在半导体装置中形成细微元件会变得困难。

发明内容

本发明构思的一些实施例提供了一种制造高度可靠并高度集成的半导体装置的方法。

根据本发明构思的一些实施例，一种制造半导体装置的方法可包括：在包括单元区和外围区的衬底上形成蚀刻目标层并且在蚀刻目标层上形成第一图案和本体图案。第一图案可形成在单元区上，并且可具有第一宽度，并且本体图案可形成在外围区上。所述方法还可包括：在所述第一图案和所述本体图案上共形地形成间隔件层并且形成第一掩模图案以覆盖单元区上的间隔件层并暴露出外围区上的间隔件层；利用第一掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻外围区上的间隔件层和本体图案，以在外围区上形成第二图案；在所述第一图案和所述第二图案上形成第一层；蚀刻第一层和间隔件层直至暴露出所述第一图案和所述第二图案的顶表面，以在单元区上形成多个第三图案和间隔件；以及各向异性地蚀刻所述间隔件，以形成暴露出所述第一图案和所述第三图案的侧表面的开口。

根据本发明构思的一些实施例，一种制造半导体装置的方法可包括：在包括单元区和外围区的衬底上形成蚀刻目标层并且在单元区上形成第一图案。所述第一图案中的每一个可具有第一宽度并且可包括延伸至外围区的至少一部分上的一部分。所述方法还可包括：在所述第一图案上共形地形成具有第一厚度的间隔件层；形成第一掩模图案以覆盖单元区并暴露出外围区；利用第一掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻外围区上的间隔件层，以形成具有小于第一厚度的第二厚度的外围间隔件层；在位于单元区上的间隔件层和外围间隔件层上形成第一层；抛光第一层、单元区上的间隔件层和外围间隔件层，以暴露出所述第一图案，以形成单元间隔件、外围间隔件和第二图案；以及各向异性地蚀刻单元间隔件和外围间隔件。

根据本发明构思的一些实施例，一种形成半导体装置的方法可包括：在衬底上形成底层；在底层上形成多个第一掩模和多个第二掩模；以及沿着所述多个第一掩模的表面形成间隔件层。所述间隔件层可在所述多个第一掩模中的各个第一掩模之间限定多个凹槽。所述方法还可包括：在所述多个第一掩模和所述多个第二掩模上形成第一掩模层。第一掩模层可形成在所述多个凹槽中，并且可形成在所述多个第二掩模中的各个第二掩模之间的空间中，并且第一掩模层可接触所述多个第二掩模的侧部。所述方法还可包括：通过蚀刻第一掩模层和间隔件层直至暴露出所述多个第一掩模的上表面和所述多个第二掩模的上表面，在所述多个凹槽中的各个凹槽中形成多个第三掩模，在所述空间中的各个空间中形成多个第四掩模，并且形成多个间隔件；蚀刻所述多个间隔件直至暴露出底层；以及在蚀刻所述多个间隔件之后，利用所述多个第一掩模、所述多个第二掩模、所述多个第三掩模和所述多个第四掩模作为蚀刻掩模来蚀刻底层。

附图说明

通过以下结合附图的描述，将更加清楚地理解示例实施例。附图表示非限制性示例实施例。

图1至图9是示出根据本发明构思的一些实施例的制造半导体装置的方法的剖视图。

图10是示出根据本发明构思的一些实施例的半导体装置的平面图。