[发明专利]调控GaAs/AlGaAs二维电子气中Dresselhaus自旋轨道耦合的方法

权利要求书

1.调控GaAs/AlGaAs二维电子气中Dresselhaus自旋轨道耦合的方法，其特征在于：该方法通过改变样品的温度调控GaAs/AlGaAs二维电子气中Dresselhaus自旋轨道耦合，具体包括如下步骤，

S1：用分子束外延设备生长GaAs/AlGaAs半导体二维电子气样品，并沉积铟电极；

S2：调整光路，使1064nm波长的激光入射到GaAs/AlGaAs半导体二维电子气样品上，使激光光斑位于所述样品两个电极中间，且激光入射角为30°；

S3：将所述样品置于杜瓦瓶中，使样品温度由77K至室温300K变化，测量样品随温度变化的Dresselhaus自旋轨道耦合引起的圆偏振光致电流。

2.根据权利要求1所述的调控GaAs/AlGaAs二维电子气中Dresselhaus自旋轨道耦合的方法，其特征在于：所述步骤S1中的条件为：用分子束外延法在（001）面GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs半导体二维电子气样品；样品的生长过程如下，首先在（001）面GaAs衬底上生长10个周期GaAs/Al_0.3Ga_0.7As超晶格作为缓冲层，再生长大于1μm的GaAs缓冲层，然后生长30nm厚的Al_0.3Ga_0.7As，进行Si-δ掺杂后再生长50nm厚的Al_0.3Ga_0.7As，最后生长10nm厚的GaAs。

3.根据权利要求2所述的调控GaAs/AlGaAs二维电子气中Dresselhaus自旋轨道耦合的方法，其特征在于：所述GaAs/AlGaAs二维电子气样品材料为单晶的GaAs/AlGaAs异质结，且在GaAs、AlGaAs二者的界面上形成二维电子气。

4.根据权利要求1所述的调控GaAs/AlGaAs二维电子气中Dresselhaus自旋轨道耦合的方法，其特征在于：所述步骤S3的条件为：将所述样品置于杜瓦瓶中，通过由杜瓦瓶和温控箱组成的控温系统改变样品温度，以改变样品的Dresselhaus自旋轨道耦合引起的圆偏振光致电流。