[发明专利]OLED像素排列结构及蒸镀掩膜板在审
| 申请号: | 201710014270.1 | 申请日: | 2017-01-09 |
| 公开(公告)号: | CN108288630A | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
| 发明(设计)人: | 彭兆基;王徐亮;甘帅燕 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;C23C14/04;C23C14/24 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
| 地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 红色子像素 蓝色子像素 单色像素 排列结构 双色像素 绿色子像素 间隔排布 蒸镀 像素分辨率 子像素组 开口率 子像素 开槽 像素 掩膜 | ||
本发明提供了一种OLED像素排列结构,所述OLED像素排列结构包括:多个双色像素列和多个单色像素列,所述双色像素列和所述单色像素列间隔排布;所述双色像素列包括多个红色子像素组和多个蓝色子像素组,所述红色子像素组和所述蓝色子像素组间隔排布;所述单色像素列包括多个绿色子像素组;所述红色子像素组、所述蓝色子像素组和所述绿色子像素组中至少有一个颜色的子像素组包括两个子像素并且通过一个开槽蒸镀而成。由此能够减少子像素间的间隙,从而提高所形成的OLED显示器的开口率和像素分辨率。
技术领域
本发明涉及OLED显示器制造技术领域,特别涉及一种OLED像素排列结构及蒸镀掩膜板。
背景技术
OLED,即有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode),又称为有机电致发光显示(Organic Electroluminesence Display)。OLED显示技术与传统的LCD显示方式不同,无需背光灯,采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基层,当有电流通过时,这些有机材料就会发光。而且OLED显示器可以做得更轻更薄,可视角度更大,并且能够显著节省电能。OLED显示器由M*N(M和N均为自然数)个发光像素单元按照矩阵结构排列组合而成,对于彩色OLED显示器每个发光像素又包括红色子像素(R)、绿色子像素(G)和蓝色子像素(B)。OLED显示器根据驱动方式分为主动式驱动(有源驱动)OLED(AMOLED)和被动式驱动(无源驱动)OLED(PMOLED)。
随着OLED显示器的像素解析度越来越高,传统的IGNIS像素排列已不能满足高PPI产品的设计要求。因此,提出一些新型的OLED像素排列结构以提高OLED显示器的开口率和像素分辨率,成了本领域技术人员需要解决的一个技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED像素排列结构及蒸镀掩膜板,以提高所形成的OLED显示器的开口率和像素分辨率。
基于上述目的,本发明提供一种OLED像素排列结构,所述OLED像素排列结构包括:多个双色像素列和多个单色像素列,所述双色像素列和所述单色像素列间隔排布;所述双色像素列包括多个红色子像素组和多个蓝色子像素组,所述红色子像素组和所述蓝色子像素组间隔排布;所述单色像素列包括多个绿色子像素组;所述红色子像素组、所述蓝色子像素组和所述绿色子像素组中至少有一个颜色的子像素组包括两个子像素并且通过一个开槽蒸镀而成。
可选的,在所述的OLED像素排列结构中,所述双色像素列包括第一双色像素列和第二双色像素列,所述第一双色像素列和所述第二双色像素列间隔排布,所述第一双色像素列中红色子像素组和蓝色子像素组的排布方式与所述第二双色像素列中红色子像素组和蓝色子像素组的排布方式相同或相反。
可选的,在所述的OLED像素排列结构中,所述红色子像素组包括两个红色子像素并且所述红色子像素组通过一个开槽蒸镀而成,所述蓝色子像素组包括至少一个蓝色子像素并且所述蓝色子像素组通过一个开槽蒸镀而成,所述单色像素列通过一条狭缝蒸镀而成。
可选的,在所述的OLED像素排列结构中,所述红色子像素组包括两个红色子像素并且所述红色子像素组通过一个开槽蒸镀而成,所述蓝色子像素组包括至少一个蓝色子像素并且所述蓝色子像素组通过一个开槽蒸镀而成,所述绿色子像素组包括至少一个绿色子像素并且所述绿色子像素组通过一个开槽蒸镀而成。
本发明还提供一种蒸镀掩膜板,所述蒸镀掩膜板包括第一基板和第二基板,所述第一基板上设置有多个第一类开口,所述第一类开口为一个开槽,所述开槽用于蒸镀一个颜色的两个子像素,所述第一基板用于蒸镀红色子像素和/或蓝色子像素;所述第二基板上设置有多个第二类开口,所述第二类开口用于蒸镀一列像素,所述第一基板用于蒸镀绿色子像素。
可选的,在所述的蒸镀掩膜板中,所述第二类开口为一条狭缝,所述狭缝用于蒸镀一列绿色子像素。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





