[发明专利]引线框架、半导体装置及引线框架的制造方法

说明书

本发明提供一种引线框架、半导体装置及引线框架的制造方法。一种引线框架，其包括：第一引线框架，包括第一引线；第二引线框架，包括第二引线，所述第二引线接合到所述第一引线；以及树脂部，设置在所述第一引线框架与所述第二引线框架之间，其中，所述第一引线和所述第二引线各自包括埋置在所述树脂部中的埋置部、及从所述树脂部突出的突出部，所述第一引线的所述埋置部与所述第二引线的所述埋置部在所述树脂部中接合。

技术领域

本发明涉及一种引线框架及半导体装置。

背景技术

以往，作为包括引线框架的半导体装置，例如已知QFN(Quad Flat No Lead：四边扁平无引脚)等无引线半导体装置。在该半导体装置中，近来，需要增加端子的个数，并且与其对应地将端子设置成多个列等。

然而，为了将端子设置成多个列，需要设置具有窄间距的配线。引线框架的配线通过蚀刻将金属板的上下表面贯穿而形成。由于蚀刻不仅在深度方向上进行而且在宽度方向上进行，因此如果金属板较厚，则配线之间的空间变宽，并且无法将配线设置成具有窄间距。因此，以往使用厚度约为0.2mm的金属板。然而，为了设置具有较窄间距的配线，研究了使用较薄的金属板。

然而，如果通过蚀刻薄金属板来形成配线，则配线变形的可能性增加。因此，难以实现使用比一定程度以上更薄的金属板的引线框架。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-307049号公报

发明内容

本发明所要解决的问题

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种即使薄型化也难以变形的引线框架。

用于解决问题的方案

根据一个实施方式，提供一种引线框架，其包括：第一引线框架，包括第一引线；第二引线框架，包括第二引线，所述第二引线接合到所述第一引线；以及树脂部，设置在所述第一引线框架与所述第二引线框架之间，其中，所述第一引线和所述第二引线各自包括埋置在所述树脂部中的埋置部、及从所述树脂部突出的突出部，所述第一引线的所述埋置部与所述第二引线的所述埋置部在所述树脂部中接合。

附图说明

当参照附图阅读以下的详细说明时，本发明的其他目的、特征及优点将变得更加明显。

图1是表示第一实施方式的引线框架的例子的俯视图。

图2A至图2D是表示构成第一实施方式的引线框架的单元引线框架的例子的图。

图3A至图3C是表示第一实施方式的引线框架的制造步骤的例子的图(其1)。

图4A至图4C是表示第一实施方式的引线框架的制造步骤的例子的图(其2)。

图5A至图5D是表示第一实施方式的引线框架的制造步骤的例子的图(其3)。

图6是表示包括第一实施方式的引线框架的半导体装置的例子的剖视图。

图7是表示第一实施方式的引线框架的变形例1的剖视图。

图8A至图8D是表示第一实施方式的引线框架的变形例1的制造步骤的例子的图。

图9是表示第一实施方式的引线框架的变形例2的剖视图。

图10A至图10D是表示第一实施方式的引线框架的变形例2的制造步骤的例子的图。

图11是表示第一实施方式的引线框架的变形例3的剖视图。

图12A至图12C是表示第一实施方式的引线框架的变形例3的制造步骤的例子的图。