[发明专利]一种应用于WLED器件中的多离子激活单基质白色荧光粉及其制备方法

权利要求书

1.一种多离子激活单基质白色荧光粉，其化学式为：M₃Ga_3-mY_1-nB₄O₁₅: xCe³⁺,yTb³⁺,zEu³⁺，M为碱土金属格位，x、y和z分别为掺杂离子摩尔比系数，取值范围分别为：0.001≤x≤0.999、0.001≤y≤0.999和0.001≤z≤0.999且满足x + y + z = m + n < 0.999。

2.如权利要求1所述的多离子激活单基质白色荧光粉，其特征在于，所述M为Ca_3-p-qMg_pBa_q其中0≤p≤0.100，0≤q≤0.100且p + q ≤ 0.10。

3.权利要求1所述多离子激活单基质白色荧光粉的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

按化学组成称取原料，加入助熔剂于研钵中并充分研磨待均匀混合，然后在梯度还原气氛中进行多步烧结，后冷却至室温，将产物研磨获得产品。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述原料为：稀土化合物、碱土金属化合物、镓元素化合物或硼元素化合物。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述稀土化合物为稀土氧化物、稀土草酸盐、稀土碳酸盐、稀土硝酸盐中的任意一种化合物或多种化合物组成的混合物。

6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述碱土金属化合物为碱土金属氧化物碳酸盐、碱土金属碳酸氢盐、碱土金属磷酸盐中的任意一种化合物或多种化合物组成的混合物。

7.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述镓元素化合物为镓氧化物、镓碳酸盐、镓草酸盐中的任意一种化合物或多种化合物组成的混合物。

8.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述硼元素化合物为硼酸、偏硼酸及其他含硼化合物中的任意一种或多种化合物组成的混合物。

9.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述多步烧结分为三步，第一步烧结温度为800~1000℃，时间为10~20 h；第二步烧结温度为1000~1200℃，烧结时间为10~20h；第三步烧结温度为1000~1200℃，烧结时间为10~20 h。