[发明专利]使用基于等离子体的工艺消除氟残余物的系统和方法

权利要求书

1.一种用于操作衬底处理室的方法，包括：

在所述衬底处理室中使用氟基气体进行处理之后的以下步骤：

a)在第一预定时间段期间，向所述衬底处理室供应气体混合物并且供应RF功率以在所述衬底处理室激励等离子体，所述气体混合物包括选自由分子氧、分子氮、一氧化氮和一氧化二氮构成的组中的一种或多种气体；

b)在所述第一预定时间段之后的第二预定时间段期间，向所述衬底处理室供应分子氢气体和RF功率；

c)重复a)和b)一次或多次；

d)用分子氮气体吹扫所述衬底处理室；

e)增加室压强；

f)排空所述衬底处理室；以及

g)重复d)、e)和f)一次或多次,

其中，在a)或b)中的至少一个期间，所述衬底处理室中的压强被设置在400mTorr和1Torr之间。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在a)期间将所述衬底处理室中的压强设定为第一预定压强。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一预定压强在400毫托至1托的范围内。

4.根据权利要求2所述的方法，还包括在b)期间将所述衬底处理室中的压强设定为第二预定压强。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第二预定压强在400毫托和1托之间的范围内。

6.根据权利要求4所述的方法，还包括在c)期间将所述衬底处理室中的压强设定为第三预定压强。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第三预定压强在5托和15托之间的范围内。

8.根据权利要求1所述的方法，其中a)中的所述RF功率在从500W到2kW的范围内。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括向设置在所述衬底处理室中的衬底支撑件提供RF偏置。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述RF偏置在100W至500W的功率范围内。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种气体以在100和5000sccm之间的流率供应。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述分子氢气体以500sccm至3000sccm之间的流率供应。