[发明专利]一种FS型IGBT器件的制造方法在审
| 申请号： | 201710007355.7 | 申请日： | 2017-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN106847909A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 程炜涛;訾彤彤;杨晓鸾;王海军;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 曹祖良,涂三民 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 fs igbt 器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种FS型IGBT器件的制作方法，其特征在于该制作方法包括以下步骤：
a、将硅片背面减薄；
b、在硅片的背面注入N型杂质；
c、在硅片的背面生长氧化层保护层；
d、对硅片的正面进行常规工艺步骤直至ILD淀积步骤；
e、在硅片的正面淀积SIN介质保护层；
f、在硅片的正面涂覆保护用光刻胶并将光刻胶烘干；
g、去除硅片背面所淀积的氧化层保护层；
h、去除硅片正面所涂覆的保护用光刻胶；
i、在硅片的背面注入P型重掺杂集电区的离子；
j、在硅片的背面淀积氧化层保护层；
k、去除硅片正面所淀积的SIN保护层；
l、对硅片的正面从淀积步骤开始继续进行常规的孔光刻步骤、正面金属淀积步骤、合金步骤、钝化层的淀积步骤以及钝化层的光刻步骤；
m、去除硅片背面所淀积的氧化层保护层；
n、对硅片的背面进行常规的背金步骤以及合金步骤。
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