[发明专利]温度补偿振荡器

权利要求书

1.一种温度补偿振荡器，其特征在于，包括：

第一电容充电电路，所述第一电容充电电路包括具有连接到公共连接的源极的第一场效应晶体管和连接在所述第一场效应晶体管栅极与所述公共连接之间的第一电容器，所述第一场效应晶体管被布置成当所述第一电容器充电至高于所述第一场效应晶体管的阈值电压时切换状态；

第一电流源，所述第一电流源连接在电源电压连接与第一场效应晶体管栅极之间；

第二电容充电电路，所述第二电容充电电路包括第二场效应晶体管和第二电容器，所述第二电容器连接在所述第二场效应晶体管栅极与所述公共连接之间并被布置成当所述第一场效应晶体管切换状态时开始放电，所述第二场效应晶体管具有连接到所述电源电压连接的源极与连接到所述第一场效应晶体管漏极的栅极，且被布置成当所述第二电容器放电至低于等于所述电源电压连接处的电源电压减去所述第二场效应晶体管的阈值电压的电压时切换状态；

第二电流源，所述第二电流源连接在所述电源电压连接与所述第二场效应晶体管栅极之间；

第三电容充电电路，所述第三电容充电电路包括具有连接到公共连接的源极的第三场效应晶体管和第三电容器，所述第三电容器连接在所述第二场效应晶体管漏极与所述公共连接之间并被布置成当所述第二场效应晶体管切换状态时开始放电，所述第三场效应晶体管具有连接到所述第一场效应晶体管栅极的漏极与连接到所述第二场效应晶体管漏极的栅极，且被布置成当所述第三电容器放电至低于所述第三场效应晶体管的阈值电压时切换状态；

第三电流源，所述第三电流源连接在所述第三场效应晶体管漏极与所述公共连接之间；

其中，所述第一场效应晶体管和所述第三场效应晶体管是n沟道MOSFET，且所述第二场效应晶体管是p沟道MOSFET。

2.根据权利要求1所述的温度补偿振荡器，其特征在于，所述振荡器的振荡频率在小于700mV的电源电压下在-25℃与50℃之间的温度范围中变化少于2％。

3.一种RFID集成电路，其特征在于，包括根据在前的任一项述利要求所述的温度补偿振荡器。

4.一种RFID标签，其特征在于，包括根据权利要求3所述的集成电路。