[发明专利]高压半导体装置在审
| 申请号： | 201710004833.9 | 申请日： | 2017-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN107919381A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 韦维克;陈柏安 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 郭晓宇,汤在彦 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 半导体 装置 | ||
1.一种高压半导体装置，其特征在于，包括：
一基底，具有一第一导电型态；
一外延层，设置于该基底上，具有一不同于该第一导电型态的第二导电型态，该外延层包括：
一高压单元；
一低压单元；以及
一电位转换单元，设置于该高压单元与该低压单元间，该电位转换单元包括：
一源极区，具有该第二导电型态；
一漏极区，设置于该源极区与该高压单元间，具有该第二导电型态，其中该漏极区通过一设置于该漏极区上方的漏极电极与该高压单元电连接；以及
一栅极区，设置于该源极区与该漏极区间；以及
一隔离结构，设置于该高压单元与该低压单元间，且该隔离结构设置于该漏极电极的正下方。
2.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该隔离结构围绕该高压单元，且贯穿该外延层及该漏极区。
3.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该隔离结构包括一介电材料。
4.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该隔离结构包括多个彼此隔开的隔离单元。
5.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该漏极区包括一具有该第二导电型态的多晶硅层，该多晶硅层和该隔离结构共同设置于一沟槽中，且该多晶硅层位于该隔离结构上方。
6.如权利要求5所述的高压半导体装置，其特征在于，该多晶硅层具有一第一宽度，该隔离结构具有一第二宽度，且该第一宽度与该第二宽度相同。
7.如权利要求5所述的高压半导体装置，其特征在于，该外延层被该多晶硅层与该隔离结构贯穿。
8.如权利要求5所述的高压半导体装置，其特征在于，该多晶硅层在该基底上的投影与该隔离结构在该基底上的投影重叠。
9.如权利要求5所述的高压半导体装置，其特征在于，该多晶硅层的一下表面与该隔离结构的一上表面直接接触。
10.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该隔离结构包括多个彼此隔开的隔离单元，该漏极区包括多个彼此隔开的多晶硅区域，每一个该隔离单元在该基底上的投影与相对应的该多晶硅区域在该基底上的投影重叠。
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