[发明专利]一种镁铁氧体基磁介材料及其制备方法有效
申请号: | 201710004455.4 | 申请日: | 2017-01-04 |
公开(公告)号: | CN106587976B | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
发明(设计)人: | 李强;李颉;包生祥;甘功雯;李元勋;张怀武 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C04B35/26 | 分类号: | C04B35/26;C04B35/622;C04B35/64;H01Q1/38 |
代理公司: | 51203 电子科技大学专利中心 | 代理人: | 吴姗霖 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铁氧体 基磁介 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种镁铁氧体基磁介材料,由主相材料和辅助相材料按质量百分数比为100:(200/41.76~226/45.28)复合而成,所述主相材料为Mg1-xCdxFe2O4尖晶石铁氧体,其中x的取值范围为0.1~0.3,所述辅助相材料为Bi2O3;所述主相材料和辅助相材料按质量百分数比为100:(200/41.76~226/45.28)的比例球磨混合后,烘干、过筛,经造粒,压制成型后,在880~960℃下烧结1~6h,随炉冷却至室温得到,所述镁铁氧体基磁介材料在0.1MHz~10MHz的频率范围内具有等磁介性,磁导率和介电常数为10~45,且介电损耗低于0.01。
2.一种镁铁氧体基磁介材料的制备方法,包括以下步骤:
步骤1:以MgO、CdO和Fe2O3为原料,按照主相材料Mg1-xCdxFe2O4中的金属元素的比例折算出MgO、CdO和Fe2O3的质量百分比,进行称料、混料、一次球磨后烘干,其中x的取值范围为0.1~0.3;
步骤2:将步骤1得到的一次球磨烘干料过筛后放入烧结炉内进行预烧,预烧温度为950℃~1100℃,时间为2~6h,然后随炉冷却至室温,得到预烧料;
步骤3:在步骤2得到的预烧料中按照主相材料和辅助相材料质量百分数比为100:(200/41.76~226/45.28)的比例加入Bi2O3辅助相材料,进行二次球磨,二次球磨后粉料的平均粒度控制在2μm以下,然后将二次球磨料烘干、过筛;
步骤4:在步骤3得到的混合粉料中加入PVA粘合剂,造粒,压制成型后,在880~960℃下烧结1~6h,随炉冷却至室温,即得到所述镁铁氧体基磁介材料。
3.根据权利要求2所述的镁铁氧体基磁介材料的制备方法,其特征在于,步骤1中所述一次球磨的转速为220转/分,球磨时间为16-24h,球磨介质为去离子水。
4.权利要求1所述镁铁氧体基磁介材料作为天线基板材料的应用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710004455.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。