[发明专利]光刻胶涂覆方法和装置

说明书

本发明提出了一种光刻胶涂覆装置和光刻胶涂覆方法。所述光刻胶涂覆装置包括：供气单元(10)，用于向光刻胶涂覆单元(20)供应气体；所述光刻胶涂覆单元(20)，包括：由侧壁、底板和盖板(206)包封的设备腔体(202)，旋转平台(204)，用于承载基片(205)并带动基片旋转，与基片共形的导流单元，用于将供气单元供应的气体均匀地吹过涂覆了光刻胶的基片表面；以及抽气单元(203)，对所述设备腔体(202)抽气。本发明实现了大面积基片的快速均匀光刻胶涂覆。

技术领域

本发明涉及光刻胶涂覆技术领域，尤其涉及一种光刻胶涂覆方法和装置。

背景技术

在光刻工艺中，光刻胶涂覆质量的优劣直接影响光刻的质量。常用的光刻胶涂覆方法有：旋涂法、喷涂法、滚涂法、浸入提拉法等。

旋涂法本质上就有径向速率的不均匀性，传统旋涂是利用超高转速提供气流来干燥光刻胶，效率低，对设备要求高。喷涂法虽可涂覆大面积和曲面基片，但难以涂覆5.0μm以下的胶层厚度，此外胶层表面光洁度差。滚涂法通常用于摄影胶片等质地较软、厚度较薄、长度很长的感光胶带的涂胶。浸入提拉法容易因基片的浸入而污染大量的光刻胶溶液，而垂直液面提拉时，光刻胶在平行液面的方向上具有很好的均匀性，但在垂直液面的方向上均匀性难以保持稳定，对于大面积和曲面基片来说，这种情况尤为严重。

因此，以上方法均难以实现大面积平面基片和轴对称非球面曲面基片的快速(最短涂覆时间1min)、均匀(均匀性误差不大于±5％)胶层涂覆。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：实现大面积平面基片和轴对称非球面曲面基片的快速(最短涂覆时间1min)、均匀(均匀性误差不大于±5％)胶层涂覆。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案为：提供一种光刻胶涂覆装置和光刻胶涂覆方法，可以实现均匀的大面积光刻胶涂覆。

根据本发明的实施例，提出了一种光刻胶涂覆装置，包括：供气单元(10)，用于向光刻胶涂覆单元(20)供应气体；所述光刻胶涂覆单元(20)，包括：由侧壁、底板和盖板(206)包封的设备腔体(202)，旋转平台(204)，用于承载基片(205)并带动基片旋转，与基片(205)共形的导流单元，用于将供气单元供应的气体均匀地吹过涂覆了光刻胶的基片表面；以及抽气单元(203)，对所述设备腔体(202)抽气。

可选地，所述导流单元包括：位于基片(205)上方的所述盖板(206)，并且所述盖板的中心与基片的中心重合,所述盖板的表面形状与基片的表面形状共形；多个进气孔(207)，位于所述盖板中心，并且用于将供气单元供应的气体通过所述进气孔输入设备腔体(202)内；多个抽气孔(209)，设置于所述光刻胶涂覆单元(20)的底板上，所述多个抽气孔以旋转平台(4)的转动轴为中心对称排布；以及其中所述抽气单元(203)与所述抽气孔(209)相连通，并且通过所述抽气孔(209)对所述设备腔体(202)抽气。

可选地，所述供气单元(10)是开放式供气单元或管道式供气单元。

可选地，在所述供气单元是管道式供气单元的情况下，管道的数量与进气孔(207)数量一致，管口口径确保与进气孔(207)无缝衔接。

可选地，所述供气单元(10)的气流量大小可调节。

可选地，所述供气单元供应的气体是高洁净压缩空气或高纯氮气。

可选地，所述抽气单元(203)的气流量大小可调节，并且所述抽气单元的抽气流量不小于供气单元(10)的供气流量。

可选地，所述抽气孔(209)均匀分布于旋转台四周。

可选地，所述盖板(206)由设备腔体(202)侧壁上设置的载盖台(2081,2082)承载，并且所述载盖台上下移动以调节所述盖板(206)与基片(205)的间距。