[发明专利]一种永磁体抗退磁能力的检测系统及其检测方法在审

专利信息
申请号: 201710003434.0 申请日: 2017-01-04
公开(公告)号: CN108267700A 公开(公告)日: 2018-07-10
发明(设计)人: 刘武利;何叶青;孙德成 申请(专利权)人: 天津三环乐喜新材料有限公司;北京中科三环高技术股份有限公司
主分类号: G01R33/12 分类号: G01R33/12
代理公司: 北京乾诚五洲知识产权代理有限责任公司 11042 代理人: 付晓青;杨玉荣
地址: 300457 天津市*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 交变磁场 实验样品 永磁体 检测系统 控制装置 抗退磁能力 变频电机 探测线圈 变频器 磁通计 检测 定位装置定位 切割磁力线 变化规律 测量仪器 定位装置 生产过程 转速转动 磁通 衰减 测量
【说明书】:

发明提供一种永磁体抗退磁能力的检测系统及其检测方法,所述检测系统包括实验样品定位装置、实验样品、带有变频器的变频电机、交变磁场控制装置、交变磁场源、磁通计和探测线圈;其中:实验样品通过实验样品定位装置定位在交变磁场中,交变磁场由交变磁场控制装置上的相对的交变磁场源产生,带有变频器的变频电机带动交变磁场控制装置按设计的转速转动切割磁力线,磁通计和探测线圈检测实验样品的磁通距变化。本发明采用了精准的测量仪器,能够准确的测量出产品在实际使用状态下永磁体磁性的衰减与变化规律,有利于NdFeB永磁体在生产过程中产品质量的提高。

技术领域

本发明涉及一种永磁体的检测方法,具体地说,涉及一种永磁体抗退磁能力的检测系统及其检测方法。

背景技术

在节能环保倡导绿色能源的背景下,钕铁硼作为绿色能源被各领域广泛使用。钕铁硼永磁体受外界磁场和温度的影响,磁体的物理特性指标会衰减。对于钕铁硼永磁体的磁路设计与实际使用的衰减情况没有更多的实验数据作为基础,因此需要研究磁体在实际使用状态下的衰减与变化规律。

研制一种模拟材料使用状态的实验装置,能够真实测量出磁体在实际使用过程中的衰减与变化规律,有利于钕铁硼的开发与生产,有利于使用者的磁路设计。

发明内容

为了解决上述现有技术的不足之处,本发明的目的在于提供一种永磁体抗退磁能力的检测系统及其检测方法,以克服现有技术中的缺陷。

为了实现上述目的,本发明提供了一种永磁体抗退磁能力的检测系统及其检测方法,所述检测系统包括实验样品定位装置、带有变频器的变频电机、两个交变磁场控制装置、交变磁场源、磁通计和探测线圈。两个交变磁场控制装置平行地竖直排列并通过一水平地穿设于两个交变磁场控制装置的转轴与两个带有变频器的变频电机连接,在两个交变磁场控制装置上分别均匀地环设有若干左安装槽和若干右安装槽,所述左安装槽和所述右安装槽内相对地插设有N对交变磁场源,两个交变磁场源是相对同向的,即NS→NS,N套相对的交变磁场源之间形成交变磁场;在交变磁场控制装置的一侧设有实验样品定位装置,实验样品定位装置通过六向可调卡座与磁化前的实验样品连接并通过六向可调卡座调节磁化前的实验样品在所述交变磁场中的上下、前后、左右方位;带有温度传感器的温控器设置在实验样品定位装置的附近,用于实时测量磁化前的实验样品的温度变化;在交变磁场控制装置的另一侧设置有用于容纳磁化后的实验样品的探测线圈,探测线圈与磁通计连接,以准确地测量磁化后的实验样品的磁通量和磁矩值的变化。

作为对本发明所述的永磁体抗退磁能力的检测系统的进一步说明,优选地,在实验样品定位装置的附近设置带有温度传感器的温控器,用于实时测量磁化前的实验样品的温度变化。

作为对本发明所述的永磁体抗退磁能力的检测系统的进一步说明,优选地,N为正整数。

作为对本发明所述的永磁体抗退磁能力的检测系统的进一步说明,优选地,N大于等于2且为偶数。

作为对本发明所述的永磁体抗退磁能力的检测系统的进一步说明,优选地,所述左安装槽和所述右安装槽的尺寸大小与交变磁场源的尺寸大小相匹配,以保证交变磁场控制装置在高速旋转时交变磁场源不会掉落。

作为对本发明所述的永磁体抗退磁能力的检测系统的进一步说明,优选地,实验样品定位装置包括调节部分和样品固定部分,所述调节部分由铜或铝材质制成,所述样品固定部分是非金属材料。

作为对本发明所述的永磁体抗退磁能力的检测系统的进一步说明,优选地,实验样品为永磁体。

作为对本发明所述的永磁体抗退磁能力的检测系统的进一步说明,优选地,实验样品是NdFeB永磁体。

根据本发明的另一方面,本发明还提供了一种采用所述检测系统的检测方法,所述检测方法包括以下步骤:

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