[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可提高显示效果。所述阵列基板包括：GOA区域，所述GOA区域设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括依次设置在衬底上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极；所述阵列基板还包括依次设置在所述源极和所述漏极远离所述衬底一侧的钝化层和导电层；其中，所述导电层在所述衬底上的正投影与所述有源层在所述衬底上的正投影重叠。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展，特别是小尺寸屏幕对窄边框的要求越来越高。随着TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)开关特性的不断提高，现有技术常采用将GOA(GateDriver on Array，阵列基板行驱动技术)将栅极驱动电路集成在阵列基板的周边区域，以减少IC(integrated circuit，集成电路)的使用，能够提高显示装置的集成度，实现窄边框设计的同时，降低制作成本。

现有技术中，如图1所示，阵列基板显示区域和GOA区域，GOA区域设置有薄膜晶体管，薄膜晶体管包括依次设置在基板10上的栅极11、栅绝缘层12、有源层13、源极14、漏极15；阵列基板还包括依次设置在源极14和漏极15远离衬底10一侧的钝化层16。栅极11在有源层13与栅绝缘层12界面处会形成栅极前沟道110，在有源层13与钝化层16界面处会形成栅极后沟道120。当TFT关闭时，前沟道110和后沟道120会形成较大的GOA区域沟道漏电流，容易导致显示装置出现显示不良。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，可提高显示效果。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种阵列基板，包括GOA区域，所述GOA区域设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括依次设置在衬底上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极；所述阵列基板还包括依次设置在所述源极和所述漏极远离所述衬底一侧的钝化层和导电层；其中，所述导电层在所述衬底上的正投影与所述有源层在所述衬底上的正投影重叠。

可选的，所述导电层覆盖所述GOA区域。

可选的，所述导电层包括镂空部分，所述镂空部分内设置有导电结构，所述导电结构与所述导电层绝缘。

优选的，所述钝化层上设置有过孔，所述导电结构通过所述过孔与所述漏极电连接。

优选的，所述导电层为金属导电层。

进一步优选的，所述金属导电层的材料为遮光材料。

第二方面，提供一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括GOA区域，所述GOA区域形成有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括依次形成在衬底上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极；所述阵列基板还包括依次形成在所述源极和所述漏极远离所述衬底一侧的钝化层和导电层；其中，所述导电层在所述衬底上的正投影与所述有源层在所述衬底上的正投影重叠。

可选的，所述导电层覆盖所述GOA区域。

可选的，所述导电层包括镂空部分，所述镂空部分内形成有导电结构，所述导电结构与所述导电层绝缘。

第三方面，提供一种显示装置，包括第一方面所述的阵列基板。

本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，通过在GOA区域内的薄膜晶体管的上方设置一层导电层，使得导电层在有源层与栅绝缘层界面处形成导电层背沟道，在有源层与钝化层界面处形成的导电层前沟道。向导电层输入低电压信号，当薄膜晶体管关闭时，导电层背沟道产生的漏电流与栅极前沟道产生的漏电流相互作用而抵消；导电层前沟道产生的漏电流与栅极背沟道产生的漏电流相互作用而抵消。从而可降低GOA区域内薄膜晶体管的漏电流，将阵列基板应用于显示装置时，可保证显示装置的显示效果。