[发明专利]一种磁控溅射台以及磁控溅射装置

说明书

本发明实施例提供一种磁控溅射台以及磁控溅射装置，涉及磁控溅射工艺技术领域，能够避免仅通过调整掩膜板与支撑该掩膜板的支撑架之间的垫片数量，导致待成膜基片与掩膜板之间距离的调整精度较低的问题。该磁控溅射台包括掩膜板、升降机构以及待成膜基片。待成膜基片位于升降机构的承载面上，且掩膜板位于待成膜基片背离所述升降机构的一侧。升降机构用于根据升降指令上升或下降，以对待成膜基片和掩膜板之间的距离进行调整。

技术领域

本发明涉及磁控溅射工艺技术领域，尤其涉及一种磁控溅射台以及磁控溅射装置。

背景技术

有机发光二极管(英文全称：Organic Light Emitting Diode，英文简称：OLED)作为一种电流型发光器件，因其所具有的自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等特点而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。

对于大尺寸的OLED显示器而言，当该显示器中的OLED器件为顶发射型时，可以采用透明导电材料作为OLED器件的阴极。构成该透明导电层的材料可以为IZO(英文全称：Indium Zinc Oxide，中文全称：铟氧化锌)或者IGZO(英文全称：Indium Gallium ZincOxide，中文全称：铟镓锌氧化物)为等。具体的，当采用上述透明导电材料是，可以采用磁控溅射工艺形成OLED器件的阴极。

然而，当采用磁控溅射工艺制备OLED器件的阴极时，如果待成膜基片与掩膜板之间的距离较远，将会导致Shadow(薄膜图案化阴影)的出现。或者，如果待成膜基片与掩膜板之间的距离较近，待成膜基片会受到掩膜板较大的挤压力，容易导致待成膜基片发生破损。

现有技术中，为了对待成膜基片与掩膜板之间的距离进行调整，通常会对掩膜板与支撑该掩膜板的掩膜板支撑架之间的垫片数量进行调整。然而，由于垫片的尺寸规格有限，因此很难使得调节后的间距达到理想值，从而降低了待成膜基片与掩膜板之间距离的调整精度。此外，在调整的过程中反复增减垫片，会导致调节过程繁琐，降低了生产效率。

发明内容

本发明的实施例提供一种磁控溅射台以及磁控溅射装置，避免仅通过调整掩膜板与支撑该掩膜板的支撑架之间的垫片数量，导致待成膜基片与掩膜板之间距离的调整精度较低的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例的一方面，提供一种磁控溅射台，包括掩膜板、升降机构以及待成膜基片；所述待成膜基片位于所述升降机构的承载面上，且所述掩膜板位于所述待成膜基片背离所述升降机构的一侧；所述升降机构用于根据升降指令上升或下降，以对所述待成膜基片和所述掩膜板之间的距离进行调整。

优选的，所述升降机构包括多个均匀分布的升降组件；所述升降组件包括升降杆，以及与所述升降杆相连接的驱动器，所述驱动器用于驱动所述升降杆运动。

优选的，所述升降组件还包括设置于所述升降杆靠近所述待成膜基片一侧的压力感应部；所述压力感应部与所述升降杆相连接，用于对升降杆的支撑力进行采集。

优选的，所述驱动器还与所述压力感应部相连接，所述驱动器包括处理单元、驱动控制单元以及执行单元；所述处理单元与所述压力感应部相连接，用于根据所述压力感应部的采集结果计算出所述升降杆的位移补偿值；所述驱动控制单元与所述处理单元相连接，用于根据所述位移补偿值生成所述升降指令；其中所述升降指令与所述位移补偿值相匹配；所述执行单元与所述驱动控制单元和所述升降杆相连接，用于根据所述升降指令控制所述升降杆的位移。

优选的，所述升降组件还包括连接所述升降杆和所述压力感应部的缓冲部；所述缓冲部用于在所述升降杆上升或下降的过程中，对所述升降杆施加至所述压力感应部件的作用力进行缓冲。