[发明专利]一种等离子刻蚀方法及等离子刻蚀装置

权利要求书

1.一种等离子刻蚀方法，其特征在于，包括：

从刻蚀腔室中实时采集获取波长-光强图，并根据所述波长-光强图，得到所述刻蚀腔室内含量最多的生成物；

根据所述生成物得到所述生成物的固气临界温度；

控制所述刻蚀腔室的温度等于所述固气临界温度。

2.根据权利要求1所述的等离子刻蚀方法，其特征在于，根据所述波长-光强图，得到所述刻蚀腔室内含量最多的生成物，具体包括：

根据所述波长-光强图，得到所述刻蚀腔室内光强最强的波长；

根据光强最强的波长，得到与其对应的生成物。

3.根据权利要求2所述的等离子刻蚀方法，其特征在于，还包括：

采集获取预设波长对应的时间-光强图，并根据所述时间-光强图，检测与所述预设波长对应的膜层的刻蚀终点。

4.根据权利要求1所述的等离子刻蚀方法，其特征在于，根据所述生成物得到所述生成物的固气临界温度，具体包括：

根据所述生成物，通过所述生成物的温度与蒸汽压曲线，得到所述生成物的固气临界温度；或者，

根据所述生成物，通过查找生成物-固气临界温度对照表，得到所述生成物的固气临界温度。

5.一种等离子刻蚀装置，其特征在于，包括：刻蚀腔室、终点探测结构、以及温度控制结构；

所述刻蚀腔室，用于对待刻蚀基板进行刻蚀；

所述终点探测结构，用于从所述刻蚀腔室中实时采集获取波长-光强图，并根据所述波长-光强图，得到所述刻蚀腔室内含量最多的生成物；

所述温度控制结构，用于根据所述生成物得到所述生成物的固气临界温度；控制所述刻蚀腔室的温度等于所述固气临界温度。

6.根据权利要求5所述的等离子刻蚀装置，其特征在于，所述终点探测结构，具体用于：

从所述刻蚀腔室中实时采集获取波长-光强图；

根据所述波长-光强图，得到所述刻蚀腔室内光强最强的波长；

根据光强最强的波长，得到与其对应的生成物。

7.根据权利要求6所述的等离子刻蚀装置，其特征在于，所述终点探测结构，还用于：

采集获取预设波长对应的时间-光强图，并根据所述时间-光强图，检测与所述预设波长对应的膜层的刻蚀终点。

8.根据权利要求5-7任一项所述的等离子刻蚀装置，其特征在于，所述终点探测结构包括：光强采集器、光纤、以及控制器；

所述光强采集器用于采集所述刻蚀腔室内各波长的光强信号，并通过所述光纤将所述光强信号传输至所述控制器；

所述控制器将所述光强信号转化为数字信号，获取所述波长-光强图。