[发明专利]一种基于吸波腔结构的近场天线波束控制系统

权利要求书

1.一种基于吸波腔结构的近场天线波束控制系统，包括：转台、设置在转台上的待测目标、以及用于对待测目标近区电磁场的幅度和相位数据进行扫描的馈源天线；其特征在于进一步包括：吸波腔；所述吸波腔罩设在所述馈源天线口面方向以外的周边，为半封闭腔体；所述吸波腔的内壁设置有吸波单元，其朝向所述待测目标的一侧设置有开孔；吸波腔将馈源天线偏离目标区域方向的辐射进行滤除，使馈源波束仅对目标区域进行照射，以实现空间滤波和增强馈源天线的方向性，实现馈源天线的波束控制；所述馈源天线设置在所述吸波腔内，且口面朝向所述开孔方向；其中，将馈源天线设置在吸波腔的经过开孔中心的轴线上以均匀过滤馈源天线周围的杂散射线；其中，所述开孔处裹覆有所述吸波单元。

2.如权利要求1所述的近场天线波束控制系统，其特征在于，所述开孔设置在所述吸波腔的侧面的中心，所述馈源天线设置在所述吸波腔的经过所述开孔中心的轴线上。

3.如权利要求2所述的近场天线波束控制系统，其特征在于，所述吸波单元为锯齿形结构，包括：铺设在所述吸波腔内壁的吸波基层、以及设置在所述吸波基层上的吸波凸起。

4.如权利要求3所述的近场天线波束控制系统，其特征在于，所述吸波凸起为楔形凸起或尖劈。

5.如权利要求3所述的近场天线波束控制系统，其特征在于，所述吸波单元铺设在所述吸波腔内壁的各个壁面上；或者，采用射线追踪法确定馈源天线发射的射线在所述吸波腔内壁的反射路径，所述吸波单元铺设在射线在所述吸波腔内壁的反射点处。

6.如权利要求5所述的近场天线波束控制系统，其特征在于，采用射线追踪法确定馈源天线发射的射线在所述吸波腔内壁的反射路径，反射点密度越大，所述吸波腔内壁对应位置的吸波单元的厚度越大。

7.如权利要求5所述的近场天线波束控制系统，其特征在于，所述吸波腔内壁不同位置处的吸波单元的种类不同；采用射线追踪法确定馈源天线发射的射线在所述吸波腔内壁的反射路径，反射点密度越大，所述吸波腔内壁对应位置的吸波单元的反射率越小。

8.如权利要求1-7任一所述的近场天线波束控制系统，其特征在于，对于所述吸波腔内壁的任意位置，对应的所述吸波单元的厚度满足如下关系：

式中，h 为吸波单元的厚度，为近场测试的最低频率所对应的波长，单位为m；为正整数，无量纲。