[发明专利]有源矩阵有机发光二极管显示屏及显示装置在审
申请号: | 201710002199.5 | 申请日: | 2017-01-03 |
公开(公告)号: | CN108269826A | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 杨楠;宋艳芹;张九占;胡思明;吕孝鹏 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 许志勇 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 金属层 减小 驱动电源 显示装置 基板 有机发光二极管显示屏 基板相对设置 驱动电压信号 并联电阻 并联回路 像素补偿 源矩阵 电阻 贴合 电路 占用 | ||
本发明实施例提供了一种AMOLED显示屏及显示装置,该AMOLED显示屏包括金属层、驱动电压信号VDD线和基板;所述金属层与所述基板相对设置,并贴合在所述基板上;所述VDD线与所述金属层连接,使所述VDD线与所述金属层形成并联回路。本发明实施例通过设置金属层来减小占用AMOLED显示屏的空间,并减小了与VDD线之间的并联电阻;从而减小了驱动电源的电阻,增大了驱动电源的电流,使电流流经VDD线时,VDD线所产生的IR‑drop降低更加明显。本发明实施例的AMOLED显示屏,结构简单,无需利用具有IR‑drop功能的像素补偿电路的方式降低VDD线的IR‑drop,降低了AMOLED显示屏的成本。
技术领域
本发明实施例涉及显示器技术领域,尤其涉及一种有源矩阵有机发光二极管显示屏及显示装置。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管(Active-matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)是主动发光器件,具有高对比度、广视角、低功耗、厚度更薄等优点。
AMOLED驱动电压信号(VDD)线中,电流流经VDD线时,由于VDD线的自身电阻分压产生电源压降(IR-drop),会影响AMOLED显示屏亮度均匀性。图1为现有技术中AMOLED显示屏的结构示意图,如图1所示,现有技术中的AMOLED显示屏可以包括VDD网格结构10、VDD线11和基板12。其中VDD线11的数目可以为多条,图1中仅以一条VDD线11举例说明。
为了减少VDD线11的IR-drop,可以利用VDD线11形成一个相互交错的VDD网格结构10,并布置在AMOLED显示屏的基板12上,之后,再将该VDD网格结构10与其他VDD线11并联连接,使驱动电路中驱动电源的电阻减小,增大VDD线中的电流,电流流经VDD线11时,VDD线11所产生的IR-drop则会相应降低。
但是,VDD线11相互交错形成的VDD网格结构10,相当于两个VDD线11直径的厚度,占用AMOLED显示屏的空间较大,而随着AMOLED显示屏越来越大,VDD网格结构10对于降低VDD线11的IR-drop的效果较差,若通过具有IR-drop功能的像素补偿电路的方式降低VDD线的IR-drop,其像素补偿电路比较复杂,成本较高。
发明内容
本发明实施例提供一种有源矩阵有机发光二极管显示屏及显示装置,通过设置金属层来减小占用AMOLED显示屏的空间,并减小了与VDD线之间的并联电阻;从而减小了驱动电源的电阻,增大了驱动电源的电流,使电流流经VDD线时,VDD线所产生的IR-drop降低更加明显,解决了采用具有IR-drop功能的像素补偿电路的方式降低VDD线的IR-drop成本较高的问题。
本发明实施例提供一种有源矩阵有机发光二极管AMOLED显示屏,其特征在于,包括金属层、驱动电压信号VDD线和基板;
所述金属层与所述基板相对设置,并贴合在所述基板上;
所述VDD线与所述金属层连接,使所述VDD线与所述金属层形成并联回路。
进一步地,上述所述的AMOLED显示屏,还包括薄膜晶体管TFT层;
所述TFT层包括有源层、栅极和输入输出层,所述输入输出层包括源极和漏极;
所述有源层分别与所述源极和所述漏极连接,且与所述金属层相对设置;
所述栅极,与所述有源层相对设置,并连接至外部控制电路的控制端。
进一步地,上述所述的AMOLED显示屏,所述有源层与所述栅极之间设置第一氧化层,所述栅极与所述输入输出层之间设置第二氧化层。
进一步地,上述所述的AMOLED显示屏,在所述第一氧化层、所述第二氧化层和所述有源层形成的第一结构上,设置第一过孔和第二过孔;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司,未经昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710002199.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的