[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置。

背景技术

随着薄膜晶体管液晶显示面板的技术发展，对画面品质的要求越来越高。聚酰亚胺树脂(Polyimide，简称PI)膜增厚对提高摩擦锚定能力有显著的改善作用，且摩擦能力增强对大尺寸产品的漏光残像都有显著的改善作用。但是PI膜增厚也会带来面板污渍等问题，主要是由于过孔段差较大，PI扩散很容易受到影响而被吸附进过孔，从而导致明显的色云纹(mura)出现，严重影响画面的品质。

发明内容

本发明旨在解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置。

作为本发明的第一个方面，提供一种阵列基本的制作方法，其中，所述制作方法包括：

提供衬底，所述衬底包括透明基板、形成在所述透明基板上的数据电极图形层以及覆盖所述数据电极图形层的绝缘层，所述数据电极图形层包括多个数据电极；

形成贯穿所述绝缘层的过孔，以暴露出部分所述数据电极；

形成透明电极材料层；

形成透明电极层，所述透明电极层包括透明电极和与所述透明电极相连的连接部，所述连接部位于所述过孔中，以将所述透明电极与相应的所述数据电极电连接，所述连接部上方设置有填充物。

优选地，形成透明电极层的步骤包括：

在形成有所述过孔的所述绝缘层的基底上沉积所述透明电极材料层；

在所述透明电极材料层上涂覆光刻胶层。

优选地，当所述光刻胶层由正性光刻胶材料形成时，所述形成透明电极层的步骤还包括：

利用半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，其中，所述半色调掩膜板包括透光区、半透光区和遮光区，所述遮光区对应所述透明电极材料层上用于形成所述连接部的区域，所述半透光区对应所述透明电极材料层上用于形成所述透明电极的区域，所述透光区对应所述透明电极材料层上除上述区域之外的区域；

对曝光后的所述光刻胶层进行显影，以获得保护图形；

对设置有所述保护图形的所述透明电极材料层进行刻蚀；

对所述保护图形进行灰化，以去除所述保护图形上除用于形成所述连接部的区域之外的材料。

优选地，当所述光刻胶层由负性光刻胶材料形成时，所述形成透明电极层的步骤还包括：

利用半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，其中，所述半色调掩膜板包括透光区、半透光区和遮光区，所述透光区对应所述透明电极材料层上用于形成所述连接部的区域，所述半透光区对应所述透明电极材料层上用于形成所述透明电极的区域，所述遮光区对应所述透明电极材料层上除上述区域之外的区域；

对曝光后的所述光刻胶层进行显影，以获得保护图形；

对设置有所述保护图形的所述透明电极材料层进行刻蚀；

对所述保护图形进行灰化，以去除所述保护图形上除用于形成所述连接部的区域之外的材料。

优选地，所述形成透明电极层的步骤还包括在对所述保护图形进行灰化的步骤之后进行的：

对图形化的所述透明电极材料层进行退火，以获得所述透明电极层。

优选地，所述数据电极包括源极和漏极，在形成贯穿所述绝缘层的过孔的步骤中，以暴露出部分所述漏极。

优选地，所述制作方法还包括在形成透明电极层的步骤之后进行的：

在所述透明电极层上形成取向膜。

优选地，所述取向膜的材料包括聚酰亚胺树脂。

优选地，所述透明电极材料层的材料包括氧化铟锡。

优选地，所述提供衬底的步骤包括：

在所述透明基板上形成栅极图形层，所述栅极图形层包括栅极；

形成栅极绝缘层，以覆盖所述栅极图形层；

形成有源层图形层，以覆盖所述栅极图形层，所述有源层图形层包括与所述栅极对应的有源层，且所述有源层与所述数据电极电连接。

优选地，所述有源层图形层的材料包括非晶硅。

作为本发明的第二个方面，提供一种阵列基板，其中，所述阵列基板由前文所述的制作方法制作得到。

作为本发明的第三个方面，提供一种显示装置，其中，所述显示装置包括前文所述的阵列基板。

本发明提供的阵列基板的制作方法，通过在连接部的上方设置填充物，以将与过孔对应的连接部位置填充，当在透明电极层上层涂覆取向膜时，减轻了与过孔对应的连接部位置对取向膜的吸附作用，通过该方法制作得到的阵列基板应用于显示装置中时避免出现色云纹，提高了显示画面的品质。

附图说明