[发明专利]限时存储器和RFID电子标签

权利要求书

1.一种限时存储器，其特征在于，包括：第一开关、第二开关、第一电容、受控电流发生器和比较器；

其中，所述第一开关和所述第二开关串联连接的公共端连接至所述第一电容的正极、所述受控电流发生器的输出端和所述比较器的输入端，所述第一开关的除所述公共端外的另一端连接至充电电源，所述第二开关的除所述公共端外的另一端接地以及所述第一电容的负极接地；以及

所述第一电容在所述第一开关闭合时处于充电状态，在所述第二开关闭合时处于放电状态；

所述第一电容在所述第一开关和所述第二开关均断开时均处于放电状态，所述第一电容的放电电流受寄生泄露电流和所述受控电流发生器输出的受控放电电流控制，且所述受控电流发生器输出所述受控放电电流的维持时间大于所述第一电容的放电时间；

所述比较器用于在所述第一电容的电压值大于预设电压阈值时输出高电平信号，以及在所述第一电容的电压值小于或等于所述预设电压阈值时输出低电平信号。

2.根据权利要求1所述的限时存储器，其特征在于，所述受控电流发生器包括：第三开关、第二电容、第一晶体管、第二晶体管和参考电流发生器；

其中，所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的栅极相连，所述第一晶体管的源极接地、漏极连接至所述参考电流发生器，所述参考电流发生器用于输出参考电流，所述第二晶体管的源极接地、漏极作为所述受控电流发生器的输出端，以及所述第三开关的一端连接至所述参考电流发生器、另一端连接至所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极公共端，所述第二电容的正极连接至所述栅极公共端、负极接地；以及

当所述第三开关闭合时，所述第二电容充电；

当所述第三开关断开时，所述第二电容在寄生泄漏电流的作用下完成放电之前，输出所述受控放电电流。

3.根据权利要求2所述的限时存储器，其特征在于，所述参考电流发生器包括至少一级镜像电流器，所述至少一级镜像电流器输出的镜像电流作为所述参考电流输入所述第一晶体管的漏极。

4.根据权利要求3所述的限时存储器，其特征在于，所述至少一级镜像电流器包括第一级镜像电流器和第二级镜像电流器；

其中，所述第一级镜像电流器用于对所述输入电流进行镜像输出第一镜像电流，以及所述第二级镜像电流器用于对所述第一镜像电流进行镜像输出第二镜像电流。

5.根据权利要求4所述的限时存储器，其特征在于，所述第一电容以电流源的方式进行放电和充电。

6.根据权利要求2所述的限时存储器，其特征在于，

当所述第一电容有多个时，所述受控电流发生器中对应的包括多个所述第二晶体管，以及所述第一晶体管与每个所述第二晶体管构成一个镜像电流器。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的限时存储器，其特征在于，

所述第一开关包括第一与非门和第五晶体管，所述第一与非门的输出端连接至所述第五晶体管的栅极，当所述第一与非门输出高电平信号时所述第五晶体管导通，以及当所述第一与非门输出低电平信号时所述第五晶体管断开；

所述第二开关包括第二与非门和第六晶体管，所述第二与非门的输出端连接至所述第六晶体管的栅极，当所述第二与非门输出高电平信号时所述第六晶体管导通，以及当所述第二与非门输出低电平信号时所述第六晶体管断开。

8.根据权利要求2至6中任一项所述的限时存储器，其特征在于，

所述第三开关包括连接至上电复位电路的第七晶体管，所述上电复位电路的输出端连接至所述第七晶体管的栅极，当所述上电复位电路输出高电平信号时所述第七晶体管导通，以及当所述上电复位电路输出低电平信号时所述第七晶体管断开。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的限时存储器，其特征在于，所述预设电压阈值的取值范围为0V～1V。

10.一种RFID电子标签，其特征在于，包括：如权利要求1至9中任一项所述的限时存储器。