[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括设置在一基底上的有源层、源电极和漏电极，所述有源层包括与所述源电极接触的源区、与所述漏电极接触的漏区，以及位于所述源区和漏区之间的沟道区，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括与所述沟道区的表面接触的导电图形，所述导电图形与源电极、漏电极绝缘设置；

当薄膜晶体管导通时，位于源电极和导电图形之间的沟道区，以及位于漏电极和导电图形的沟道区形成导电沟道，沟道区的宽长比小于导电沟道的宽长比。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道区的与所述导电图形接触的表面具有不平整结构。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导电图形设置在所述有源层的背离所述基底的表面上，所述沟道区的与所述导电图形接触的表面具有至少一个凹槽，由所述至少一个凹槽形成所述不平整结构。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导电图形设置在所述有源层的背离所述基底的表面上，所述沟道区的与所述导电图形接触的表面具有至少一个凸起，由所述至少一个凸起形成所述不平整结构。

5.根据权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导电图形与所述源电极、漏电极同层设置。

6.一种如权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，包括：

在一基底上形成有源层、源电极和漏电极，所述有源层包括与所述源电极接触的源区、与所述漏电极接触的漏区，以及位于所述源区和漏区之间的沟道区，其特征在于，所述制作方法还包括：

形成与所述沟道区的表面接触的导电图形，所述导电图形与源电极、漏电极绝缘设置。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

在所述沟道区的与所述导电图形接触的表面形成不平整结构。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述沟道区的与所述导电图形接触的表面具有至少一个凹槽，由所述至少一个凹槽形成所述不平整结构，形成有源层的步骤包括：

形成半导体薄膜；

在所述半导体薄膜上涂覆光刻胶；

对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶不保留区域，其中，光刻胶完全保留区域对应所述有源层的除凹槽以外的部分所在的区域，光刻胶部分保留区域对应所述凹槽所在的区域，光刻胶不保留区域对应其它区域；

去除光刻胶不保留区域的半导体薄膜；

通过灰化工艺去除光刻胶部分保留区域的光刻胶；

去除光刻胶部分保留区域的部分厚度的半导体薄膜；

剥离剩余的光刻胶，形成表面具有凹槽的有源层。

9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述沟道区的与所述导电图形接触的表面具有至少一个凸起，由所述至少一个凸起形成所述不平整结构，形成有源层的步骤包括：

形成半导体薄膜；

在所述半导体薄膜上涂覆光刻胶；

对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶不保留区域，其中，光刻胶完全保留区域对应所述凸起所在的区域，光刻胶部分保留区域对应所述有源层的除凸起以外的部分所在的区域，光刻胶不保留区域对应其它区域；

去除光刻胶不保留区域的半导体薄膜；

通过灰化工艺去除光刻胶部分保留区域的光刻胶；

去除光刻胶部分保留区域的部分厚度的半导体薄膜；

剥离剩余的光刻胶，形成表面具有凸起的有源层。

10.根据权利要求6-9任一项所述的制作方法，其特征在于，通过对同一导电薄膜的构图工艺同时形成所述导电图形、源电极和漏电极。