[发明专利]三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的发光显示器

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域、纳米科学与技术领域、集成电路科学与技术领域、微电子科学与技术领域、真空科学与技术领域以及光电子科学与技术领域的相互交叉领域，涉及到平面场发射发光显示器的制作，具体涉及到碳纳米管阴极的平面场发射发光显示器的制作，特别涉及到一种三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的发光显示器及其制作工艺。

背景技术

碳纳米管是一种半导体材料，在真空环境下，仅需外加的高电场强度就能够进行发射电子。在充分利用这一现象的基础上，碳纳米管被成功应用于场发射发光显示器中，成为了优秀的冷阴极。在制作工艺方面，由于丝网印刷工艺的引入，使得制作大面积的、图案化的碳纳米管层变得很容易，这更加极大促进了场发射发光显示器的研究进展。在三极结构的场发射发光显示器中，由于门极和碳纳米管阴极的距离更小，故而门极工作电压也更低，这十分有助于降低场发射发光显示器的功率损耗、减小场发射发光显示器的驱动电路费用。但是，随着门极结构的加入，场发射发光显示器的制作变得有些复杂，还存在着大量悬而未决的技术难题。例如，其一，门极和碳纳米管阴极的制作问题。门极主要是用于调控电子发射的，而碳纳米管阴极主要是进行电子发射的，这是两种截然不同的结构，其制作工艺也大不相同。门极结构的制作工艺和碳纳米管阴极的制作工艺会相互影响，在严重情况下后续工序会直接导致前续已制作的结构失效。因而，如何解决这两种结构的相互影响问题，还需要进行综合研发。其二，碳纳米管层的电子发射效率问题。在碳纳米管层中，能够有效进行场电子发射的碳纳米管的数量并不多，有的碳纳米管发射电子数量很少，还有的碳纳米管根本就不发射电子，这样，就造成碳纳米管阴极的电子发射效率非常低下；同时再加之碳纳米管的制作面积小等因素，故而碳纳米管阴极不足以提供足够的电子，那么场发射发光显示器也就无法获得足够的电流。如何让碳纳米管阴极提供更多的阴极电子呢，这需要仔细考虑。其三，门极调控问题。当在门极上施加适当电压后，或者是碳纳米管更本就不发射电子，或者是碳纳米管虽然进行了电子发射、但其发射电子数量的多少并不受门极电压的调制，这都是门极功能失效的具体体现。如何制作具有更好调控性能的门极，还需要进行认真研究。此外，场发射发光显示器的制作费用要低，过高的、或者过于昂贵的场发射发光显示器，是无法走向显示市场并适应实际产品需求的。

发明内容

发明目的：本发明的目的在于克服上述发光显示器中存在的缺陷和不足而提供一种阳极电流大的、发光灰度可调节性能优异的、制作工艺可靠的、响应时间短的、发光亮度高的带有三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的发光显示器的显示器制作及其制作工艺。

技术方案：为解决上述技术问题，本发明提供的三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的发光显示器，包括由后抗真空压硬质平板、前抗真空压硬质平板和透明玻璃框所构成的真空室；在前抗真空压硬质平板上有阳极薄氧化物透射方层、与阳极薄氧化物透射方层相连的阳极长延伸银白层以及制备在阳极薄氧化物透射方层上面的荧光粉层；在后抗真空压硬质平板上有三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构；位于真空室的消气剂和薄消隐壁附属元件。