[发明专利]光器件

说明书

半导体激光器(1)射出激光，电场吸收型光调制器(2)对该激光进行调制。由于电场吸收型光调制器(2)具有消光特性不同的多个电场吸收区域(2a、2b、2c)，因此能够将光器件的消光比曲线控制为适配于驱动条件的具有多个台阶的形状。

技术领域

本发明涉及具备射出激光的半导体激光器和对激光进行调制的电场吸收型光调制器的光器件。

背景技术

作为光器件，使用将半导体激光器和电场吸收型光调制器形成于单一的半导体基板的电场吸收型光调制器集成激光器。就现有的光器件而言，相对于1个半导体激光器而设置有1个电场吸收区域(例如，参照专利文献1(图1))。

专利文献1：日本特开2016-92124号公报

发明内容

由于现有的光器件的消光比曲线由1个电场吸收区域的消光特性决定，因此不能够使其适配于对光器件进行驱动时的驱动条件。因此，存在下述问题，即，引起使用了光器件的通信的综合通信品质的劣化。特别地，在使用了以4值脉冲振幅调制方式驱动的光器件的大容量光通信中，由于信号从2值变为4值，因而SN比劣化，由于该影响而引起通信品质的劣化。另外，由于信号的4值化，因此针对驱动电压的灵敏度上升，通信品质的稳定化也变难。

本发明就是为了解决上述那样的课题而提出的，其目的在于得到能够将消光比曲线控制为适配于驱动条件的形状的光器件。

本发明涉及的光器件的特征在于具备：半导体激光器，其射出激光；以及电场吸收型光调制器，其对所述激光进行调制，所述电场吸收型光调制器具有消光特性不同的多个电场吸收区域。

发明的效果

在本发明中，由于电场吸收型光调制器具有消光特性不同的多个电场吸收区域，因此能够将光器件的消光比曲线控制为适配于驱动条件的具有多个台阶的形状。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1涉及的光器件的斜视图。

图2是表示本发明的实施方式1涉及的光器件的框图。

图3是表示本发明的实施方式1涉及的光模块的框图。

图4是表示4值脉冲振幅调制方式(PAM4)的调制电压的图。

图5是表示通常的电场吸收型光调制器的消光特性和光输出波形的图。

图6是表示本发明的实施方式1涉及的3个电场吸收区域的消光特性的图。

图7是表示本发明的实施方式1涉及的电场吸收型光调制器的消光特性和光输出波形的图。

图8是表示本发明的实施方式2涉及的光器件的框图。

图9是表示本发明的实施方式2涉及的3个电场吸收区域的消光特性的图。

图10是表示本发明的实施方式3涉及的光器件的框图。

图11是表示2值脉冲调制方式(NRZ方式)的调制电压的图。

图12是表示本发明的实施方式3涉及的光器件的变形例的框图。

图13是表示本发明的实施方式4涉及的电场吸收区域的一部分的剖视图。

具体实施方式

参照附图对本发明的实施方式涉及的光器件进行说明。对相同或对应的结构要素标注相同标号，有时省略重复说明。

实施方式1.