[发明专利]具有对深源极/漏极半导体的后侧互连的集成电路设备

权利要求书

1.一种晶体管单元，其包括：

半导体本体，其贯穿隔离电介质；

栅极电极，其在所述半导体本体的沟道区域上面并且在所述隔离电介质的前侧上方延伸；

包括半导体材料的源极和漏极区域，其电耦合到所述沟道区域，其中所述源极和漏极区域包括至少一个深源极或深漏极区域，所述至少一个深源极或深漏极区域延伸到所述沟道区域的深度以下的深度；

一个或多个前侧互连金属喷镀层级，其在所述隔离电介质的前侧上面且耦合到所述源极和漏极区域中的至少一个、或耦合到所述栅极电极；以及

一个或多个后侧互连金属喷镀层级，其在所述隔离电介质的后侧上面且电耦合到所述深源极或深漏极区域。

2.根据权利要求1所述的晶体管单元，其中：

所述源极和漏极区域包括：浅源极或浅漏极区域，其延伸到小于所述深源极或深漏极区域的深度的深度；以及

所述前侧互连金属喷镀层级耦合到所述浅源极或浅漏极区域，并耦合到所述栅极电极。

3.根据权利要求2所述的晶体管单元，其中所述浅源极或浅漏极区域延伸到近似等于所述沟道区域的深度的深度。

4.根据权利要求2所述的晶体管单元，其中所述前侧互连金属喷镀层级中的第一个耦合到所述浅源极或浅漏极区域，并且在覆盖了所述深源极或深漏极区域的前侧的介电材料的上方延伸。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的晶体管单元，其中所述深源极或深漏极区域贯穿所述半导体本体的整个高度，从而延伸到至少等于所述隔离电介质的深度的深度。

6.根据权利要求5所述的晶体管单元，其中：

非平面半导体本体的基极具有与所述深源极或深漏极区域相同的导电类型；以及

电耦合到所述深源极或深漏极区域的后侧互连金属喷镀层级取得与所述非平面半导体本体的基极的接触。

7.根据权利要求5所述的晶体管单元，其中：

所述隔离电介质的后侧表面从所述深源极或深漏极区域凹进；以及

电耦合所述深源极或深漏极区域的后侧互连金属喷镀层级取得通过所述深源极或深漏极区域的侧壁的电接触。

8.根据权利要求1-4中任一项所述的晶体管单元，其中：

非平面半导体本体包括至少一对半导体鳍部，所述至少一对半导体鳍部具有相同的鳍部高度且通过居间隔离电介质而分离；

所述栅极电极包括单个栅极电极，所述单个栅极电极在所述对半导体鳍部中的每一个中的沟道区域上面，并且在所述居间隔离电介质的上方延伸；以及

所述深源极或深漏极区域具有至少等于所述鳍部高度的深源极或深漏极高度，并且包括由所述居间隔离电介质分离的至少一对p型或n型半导体鳍部，该居间隔离电解质处于所述深源极或深漏极高度的至少第一部分内。

9.根据权利要求8所述的晶体管单元，其中所述对p型或n型半导体鳍部通过p型或n型半导体的桥而互连，所述p型或n型半导体的桥包括所述深源极或深漏极高度的第二部分并在所述居间隔离电介质的上方延伸。

10.一种包括一个或多个逻辑核心的微处理器，其中所述逻辑核心包括一个或多个如权利要求1中所述的晶体管单元。