[发明专利]同位素的电参数

权利要求书

1.一种器件，包括：

同位素部分，包括具有至少一种同位素的材料；

反应控制部分，用以引起包括所述至少一种同位素的化学反应；以及

电参数部分，用以测量电参数上的改变以确定具有所述至少一种同位素的材料的量上的改变，电参数基于化学反应而改变。

2.如权利要求1所述的器件，化学反应是具有所述至少一种同位素的材料的氧化。

3.如权利要求2所述的器件，其中反应控制部用来择性地引起氧化或者使氧化还原。

4.如权利要求1所述的器件，其中电参数是与具有所述至少一种同位素的材料相关联的阻抗值。

5.如权利要求4所述的器件，其中电参数部分用来测量用以将阻抗值改变预先确定的量的电流和/或时间。

6.如权利要求1所述的器件，其中所述至少一种同位素包括两种同位素，并且其中电参数与所述两种同位素的比率相关联。

7.如权利要求1所述的器件，进一步包括存储器控制器，其中存储器控制器用来访问电参数部分以基于所确定的在电参数上的改变来执行读取操作。

8.一种方法，包括：

测量与衰变同位素相关联的电参数，电参数被用于确定衰变同位素的当前水平；

将所确定的衰变同位素的当前水平与衰变同位素的对应于参考时间的参考水平进行比较；以及

基于所确定的当前水平、参考水平和与衰变同位素相关联的半衰期来计算自参考时间起经过的时间。

9.如权利要求8所述的方法，其中参考时间指示器件的与衰变同位素相关联的初始化。

10.如权利要求9所述的方法，其中经过的时间被用于确定器件的与衰变同位素相关联的保修状态。

11.如权利要求8所述的方法，其中电参数是与衰变同位素相关联的阻抗值。

12.一种利用由计算系统的处理器可执行的指令编码的非暂态计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质包括用于如下的指令：

引起包括至少一种同位素的材料的化学反应；

测量电参数以确定包括所述至少一种同位素的材料的量，电参数是基于化学反应的；以及

计算所述至少一种同位素的同位素水平和/或比率。

13.如权利要求12所述的非暂态计算机可读存储介质，其中化学反应是包括所述至少一种同位素的材料的氧化。

14.如权利要求12所述的非暂态计算机可读存储介质，其中用以引起化学反应的指令包括用以选择性地引起氧化或者使氧化还原的指令。

15.如权利要求12所述的非暂态计算机可读存储介质，其中电参数是与包括所述至少一种同位素的材料相关联的阻抗值。