[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201680090353.2 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN109923645B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 上野隆二;砂本昌利 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其具备：
半导体基板；
铝合金膜，其配置于所述半导体基板的表面以及背面中的至少任意一个面之上；
催化剂金属膜，其配置于所述铝合金膜上方且具有能够进行析出镍的自催化反应的催化活性；
无电解镍镀膜，其配置于所述催化剂金属膜之上；以及
反应物层，其配置于所述铝合金膜和所述催化剂金属膜之间且包含所述催化剂金属膜的金属。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
还具备：
无电解金镀膜，其配置于所述无电解镍镀膜之上。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
所述催化剂金属膜的所述金属包含Au、Pd、Ni、Co中的至少任意一个。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，
所述催化剂金属膜的厚度大于或等于20nm且小于或等于200nm。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，
所述半导体基板具有加强部，所述加强部配置于该半导体基板的外周部。
6.一种半导体装置的制造方法，其具备以下工序：
(a)在半导体基板的表面以及背面中的至少任意一个面之上形成铝合金膜；
(b)在所述铝合金膜之上形成催化剂金属膜，所述催化剂金属膜具有能够进行析出镍的自催化反应的催化活性；
(c)使所述催化剂金属膜的金属扩散至所述铝合金膜中与所述催化剂金属膜接触的部分，由此在所述铝合金膜和所述催化剂金属膜之间形成反应物层；以及
(d)在所述工序(c)之后，通过所述自催化反应而在所述催化剂金属膜之上形成无电解镍镀膜。
7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，
还具备以下工序：
(e)在所述无电解镍镀膜之上形成无电解金镀膜。
8.根据权利要求6或7所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述催化剂金属膜的所述金属包含Au、Pd、Ni、Co中的至少任意一个。
9.根据权利要求6～8中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述催化剂金属膜的厚度大于或等于20nm且小于或等于200nm。
10.根据权利要求6～9中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
还具备以下工序：
(f)在所述工序(c)和所述工序(d)之间，通过等离子体对所述催化剂金属膜进行清洁化。
11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述等离子体包含氧等离子体或氢等离子体。
12.根据权利要求6～11中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
还具备以下工序：
(g)在所述半导体基板的外周部形成加强部。
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