[发明专利]高光电变换效率太阳能电池及高光电变换效率太阳能电池的制造方法有效
申请号: | 201680090321.2 | 申请日: | 2016-10-25 |
公开(公告)号: | CN109891599B | 公开(公告)日: | 2022-09-23 |
发明(设计)人: | 渡部武纪;森山隼;桥上洋;大塚宽之 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 变换 效率 太阳能电池 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池,在有第一导电型的半导体基板的第一主表面上,具有有前述第一导电型的基极层、及邻接在前述基极层且有与前述第一导电型相反的导电型即第二导电型的射极层,且具有
与前述基极层电性地连接的基极电极、及
与前述射极层电性地连接的射极电极,其特征在于,
在前述第一主表面上,具有接在前述基极层及前述射极层的介电体膜;
具有被配置成覆盖前述射极电极、位于前述介电体膜上、且至少在前述基极层上有间隙的第一绝缘膜;
具有至少位于前述第一绝缘膜上的基极用汇流条电极;
前述基极层的在前述半导体基板的第一主表面显现出的形状为细长,其宽幅是50μm以上200μm以下;
前述第一绝缘膜的间隙的距离超过Wμm且在(W+110)μm以下,其中W为间隙方向的基极层的宽幅,
前述基极电极与前述基极用汇流条电极电性地连接着,
还具有覆盖前述基极电极的第二绝缘膜、至少位于前述第二绝缘膜上且具有与前述射极电极电性地连接的射极用汇流条电极。
2.一种太阳能电池模块,其特征在于,
内藏权利要求1所述的太阳能电池。
3.一种太阳能光电发电系统,其特征在于,
具有权利要求2所述的太阳能电池模块。
4.一种太阳能电池的制造方法,具有:在具有第一导电型的半导体基板的第一主表面上,形成有前述第一导电型的基极层、及邻接在前述基极层且有与前述第一导电型相反的导电型即第二导电型的射极层的步骤,
在前述第一主表面上,形成接在前述基极层及前述射极层的介电体膜的步骤,
形成与前述基极层电性地连接的基极电极的步骤,及
形成与前述射极层电性地连接的射极电极的步骤,其特征在于,
具有:以覆盖前述射极电极、位于前述介电体膜上、且至少在前述基极层上有间隙的方式形成第一绝缘膜的步骤,及
至少在前述第一绝缘膜上的形成基极用汇流条电极的步骤;
将前述基极层的在前述半导体基板的第一主表面显现出的形状作成细长,其宽幅设为50μm以上200μm以下;
在形成前述第一绝缘膜的步骤,将前述第一绝缘膜的间隙的距离作成超过Wμm且在(W+110)μm以下而形成前述绝缘膜,其中W为间隙方向的基极层的宽幅,
使前述基极电极与前述基极用汇流条电极电性地连接,
还具有形成覆盖前述基极电极的第二绝缘膜的步骤,
形成至少位于前述第二绝缘膜上、与前述射极电极电性地连接的射极用汇流条电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的