[发明专利]半导体模块以及电力变换装置有效

专利信息
申请号: 201680090157.5 申请日: 2016-10-21
公开(公告)号: CN109844941B 公开(公告)日: 2022-12-13
发明(设计)人: 川濑达也;中田洋辅;井本裕儿;碓井修 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/473 分类号: H01L23/473;H01L25/07;H01L25/18;H05K7/20
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 模块 以及 电力 变换 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体模块,其特征在于,具有:

导电性基座板;

绝缘基板,其设置于所述导电性基座板的上表面;

导电性图案,其设置于所述绝缘基板之上;

多个半导体元件,它们设置于所述导电性图案之上;

多个鳍片,它们设置于所述导电性基座板的下表面;

散热性基座板,其设置于所述多个鳍片的前端;

冷却器,其以包围所述多个鳍片以及所述散热性基座板的方式设置,该冷却器在底面具有流入口和流出口;以及

分隔部,其将由所述冷却器和所述散热性基座板包围的空间分离成与所述流入口相连的流入侧空间和与所述流出口相连的流出侧空间,

在所述散热性基座板的中央部设置有第1狭缝,

在所述散热性基座板的沿着从流入侧朝向流出侧的方向的两条边分别设置有第2以及第3狭缝,

所述第1狭缝与所述第2以及第3狭缝的一者是与所述流入侧空间连接的流入侧狭缝,另一者是与所述流出侧空间连接的流出侧狭缝。

2.根据权利要求1所述的半导体模块,其特征在于,

所述多个半导体元件具有第1半导体元件和与所述第1半导体元件相比发热量大的第2半导体元件,

所述第2半导体元件配置为与所述第1半导体元件相比更靠近所述流入侧狭缝。

3.根据权利要求2所述的半导体模块,其特征在于,

所述第2以及第3狭缝是所述流入侧狭缝,

所述第2半导体元件配置于所述第2以及第3狭缝的上方。

4.根据权利要求2所述的半导体模块,其特征在于,

所述第1狭缝是所述流入侧狭缝,

所述第2半导体元件配置于所述第1狭缝的上方。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体模块,其特征在于,

所述多个鳍片中的流入侧的鳍片为与流出侧的鳍片相比冷却水难以通过的形状。

6.根据权利要求5所述的半导体模块,其特征在于,

所述流入侧的鳍片与所述流出侧的鳍片相比鳍片密度高。

7.根据权利要求5所述的半导体模块,其特征在于,

所述多个鳍片的形状是在所述流入侧具有中心的放射状的椭圆弧。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体模块,其特征在于,

在所述流入口以及所述流出口的上方设置有不具有所述多个鳍片以及所述散热性基座板的泄流构造。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体模块,其特征在于,

所述多个半导体元件由宽带隙半导体形成。

10.一种电力变换装置,其特征在于,具有:

主变换电路,其具有权利要求1至9中任一项所述的半导体模块,该主变换电路对被输入来的电力进行变换而输出;以及

控制电路,其将对所述主变换电路进行控制的控制信号输出至所述主变换电路。

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