[发明专利]量子点器件

权利要求书

1.一种量子点器件，包括：

量子阱堆叠；

量子阱堆叠上方的多个第一栅；以及

量子阱堆叠上方的多个第二栅；

其中第一栅位于每个最邻近对的第二栅之间。

2.根据权利要求1所述的量子点器件，其中各个第一栅包括在所述第二栅的多个最邻近对之间延伸的第一栅金属。

3.根据权利要求1所述的量子点器件，其中绝缘材料被设置在所述第一栅中的第一个和与所述第一栅中的第一个相邻的所述第一栅中的第二个之间。

4.根据权利要求3所述的量子点器件，其中至少一个第二栅被设置在所述第一栅中的第一个与所述第一栅中与所述第一栅中的第一个相邻的所述第一栅中的第三个之间，使得所述第一栅中的第一个位于所述第一栅中的第二个和所述第一栅中的第三个之间。

5.根据权利要求1所述的量子点器件，还包括：

第一栅的栅金属上方的硬掩模。

6.根据权利要求1所述的量子点器件，还包括：

在第一栅的栅金属上方的多个硬掩模。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的量子点器件，还包括：

第一栅的栅金属和第二栅的栅金属之间的绝缘材料，使得第一栅的栅金属位于绝缘材料和量子阱堆叠之间。

8.根据权利要求1-6中任一项所述的量子点器件，还包括：

第一栅的栅金属和第二栅的栅金属之间的间隔部材料。

9.根据权利要求1-6中任一项所述的量子点器件，还包括：

与第二栅交替布置的第二栅金属桩。

10.根据权利要求1-6中任一项所述的量子点器件，还包括：

设置在第二栅的栅金属上方的间隔部材料。

11.根据权利要求1-6中任一项所述的量子点器件，还包括：

第一栅的栅金属和量子阱堆叠之间的栅电介质。

12.根据权利要求11所述的量子点器件，其中所述栅电介质在所述第二栅的栅金属与所述量子阱堆叠之间连续延伸。

13.根据权利要求1-6中任一项所述的量子点器件，还包括：

耦合到第一栅的多路复用器。

14.根据权利要求1-6中任一项所述的量子点器件，其中所述第一栅具有40纳米与100纳米之间的间距。

15.根据权利要求1-6中任一项所述的量子点器件，还包括：

远离多个第一栅延伸的多个平行的第一栅线。

16.根据权利要求15所述的量子点器件，还包括：

在垂直于第一栅线的方向上远离多个第二栅延伸的多个平行的第二栅线。

17.根据权利要求1-6中任一项所述的量子点器件，还包括：

设置在多个第二栅上方的多个磁体。

18.一种执行泡利栅操作的方法，包括：

将电压施加到量子点器件的垒栅和量子点栅，以在第一量子点栅下的量子点器件的量子阱堆叠中形成量子点，其中所述量子点器件包括量子阱堆叠上方的多个垒栅，量子阱堆叠上方的多个量子点栅，并且所述多个垒栅被布置在沿第一方向延伸的电连续行中，并且所述多个量子点栅被布置在沿垂直于第一方向的第二方向延伸的电连续行中；以及

将微波脉冲施加到以电连续行布置的多个量子点栅，其中所述多个量子点栅包括第一量子点栅，并且其中所述微波脉冲被调谐到设置在第一量子点栅上方的磁体的频率以在量子点上执行泡利栅操作。