[发明专利]在工艺中控制衬底上图案定位的方法及计算机程序产品有效
申请号: | 201680088916.4 | 申请日: | 2016-08-04 |
公开(公告)号: | CN109643640B | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | S·切尔卡斯;F·拉斯克 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘丽楠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 工艺 控制 衬底 图案 定位 方法 计算机 程序 产品 | ||
1.一种用于在制造工艺中控制衬底上图案的定位的方法,所述方法包括以下步骤:
使用配准工具对通过所述制造工艺的先前工艺步骤形成于所述衬底上的至少一个层中的至少一个图案进行至少一个配准测量;
收集互补信息,所述互补信息包括关于所述衬底的表面形态信息或覆盖信息;
从所述配准测量确定所述至少一个图案在所述制造工艺的坐标系统中的位置;及
将所述至少一个图案的所述确定位置和所述互补信息馈入到制造系统的自动过程控制中以控制所述制造系统的设置以用于所述制造工艺的后续工艺步骤。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述制造工艺的所述坐标系统与所述配准工具的坐标系统完全相同。
3.根据权利要求1所述的方法,其中也将所述至少一个图案的所述确定位置馈入到所述自动过程控制以控制所述制造系统的设置以用于在后续衬底上执行所述制造工艺的所述先前工艺步骤。
4.根据权利要求1所述的方法,其中至少在所述先前工艺步骤之后收集所述互补信息。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述衬底是硅晶片。
6.根据权利要求1所述的方法,其中至少所述先前工艺步骤或至少所述后续工艺步骤包含在所述衬底上执行光刻。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述制造系统包含光刻扫描仪。
8.根据权利要求1所述的方法,其中至少所述先前工艺步骤或至少所述后续工艺步骤包含在所述衬底上执行蚀刻、在所述衬底上沉积层或化学机械抛光中的至少一者。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述至少一个图案包含目标,所述目标用于覆盖测量。
10.根据权利要求1所述的方法,其中所述至少一个图案包含功能图案。
11.一种用于在晶片的制造工艺中控制硅衬底上图案的定位的方法,所述方法包括以下步骤:
使用配准工具对所述制造工艺的先前光刻工艺步骤中通过光刻形成于所述衬底上的至少一个层中的至少一个图案进行至少一个配准测量;
收集互补信息,所述互补信息包括关于所述衬底的表面形态信息或覆盖信息;
从所述配准测量确定所述至少一个图案在所述制造工艺的坐标系统中的位置;及
将所述至少一个图案的所述确定位置和所述互补信息馈入到制造系统的自动过程控制中以控制所述制造系统的设置以用于所述制造工艺的后续光刻工艺步骤。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述制造工艺的所述坐标系统与所述配准工具的坐标系统完全相同。
13.根据权利要求11所述的方法,其中也将所述至少一个图案的所述确定位置馈入到所述自动过程控制以控制所述制造系统的设置以用于在后续衬底上执行所述制造工艺的所述先前光刻工艺步骤。
14.根据权利要求11所述的方法,其中在所述先前光刻工艺步骤与所述后续光刻工艺步骤之间实施至少一个进一步工艺步骤,且在所述至少一个进一步工艺步骤中的至少一者之后实施所述至少一个配准测量中的至少一者。
15.根据权利要求14所述的方法,其中在所述至少一个进一步工艺步骤中的至少一者之后收集额外互补信息且将其馈入到所述自动过程控制中。
16.根据权利要求14所述的方法,其中所述至少一个进一步工艺步骤包含蚀刻步骤、层的沉积、退火、抗蚀剂显影或化学机械抛光中的至少一者。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造