[发明专利]尖晶石颗粒及其制造方法、及包含前述尖晶石颗粒的组合物和成形物

说明书

以往，作为无机填料常使用氧化铝，作为比前述氧化铝的导热性还低的物质而已知的尖晶石用于宝石类、荧光发光体、催化剂载体、吸附剂、光催化剂、耐热绝缘材料等的用途，未设想过作为导热性的无机填料的使用。因此，本发明的目的在于提供一种导热性优异的尖晶石颗粒。一种尖晶石颗粒，其包含镁原子、铝原子和氧原子、及钼，[111]面的微晶直径为220nm以上。

技术领域

本发明涉及尖晶石颗粒及其制造方法、及包含前述尖晶石颗粒的组合物和成形物。

背景技术

以往，要求设备的小型轻量化、高性能化，与此相伴半导体装置的高集成化、大容量化得以发展。因此，设备的构成构件所产生的发热量增大，要求提高设备的散热功能。

作为提高设备的散热功能的方法，例如已知对绝缘构件赋予导热性的方法，更具体而言，向作为绝缘构件的树脂中添加无机填料的方法。此时，作为使用的无机填料，可列举出：氧化铝(alumina)、氮化硼、氮化铝、氧化镁、碳酸镁等。

近些年，设备的小型轻量化、高性能化正日益发展，需求具有高的导热性的无机填料。

然而，尖晶石是一般由MgAl₂O₄的化学组成表示的矿物，除了作为宝石类使用以外，从其多孔结构、修饰容易性的观点出发，还适用于荧光发光体、催化剂载体、吸附剂、光催化剂、耐热绝缘材料等的用途。

例如，专利文献1中记载了一种氧化物荧光发光体的技术，其特征在于，其为AB₂O₄尖晶石型氧化物，所述AB₂O₄尖晶石型氧化物的A位元素为Mg且B位元素为Al或Ga，掺杂有Mn，包含超过化学计量比的过量的Mg，前述B位元素为Al时的Mg的过量相对于前述AB₂O₄尖晶石型氧化物中的A以化学计量比计在0.1以上且0.7以下的范围内，Mn的掺杂量相对于前述AB₂O₄尖晶石型氧化物在0.05摩尔％以上且0.2摩尔％以下的范围内，前述B位元素为Ga时的Mg的过量相对于前述AB₂O₄尖晶石型氧化物中的A以化学计量比计在0.1以上且0.9以下的范围内，Mn的掺杂量相对于前述AB₂O₄尖晶石型氧化物在0.025摩尔％以上且0.2摩尔％以下的范围内。根据专利文献1的氧化物荧光发光体，记载了：掺杂了Mn的尖晶石型氧化物具有规定的构成时，能够发出红色荧光。

需要说明的是，记载了：专利文献1中记载的氧化物荧光发光体可以通过利用固相反应法或溶液法对原材料进行混合、焙烧来制造。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-17125号公报

发明内容

发明要解决的问题

以往，尖晶石如上所述适用于宝石类、荧光发光体、催化剂载体、吸附剂、光催化剂、耐热绝缘材料等的用途，但未设想过其作为具有导热性的无机填料的用途。其原因在于，从成本的观点出发，一直以来经常使用氧化铝，未设想过将作为比前述氧化铝导热性还低的物质被人所知的尖晶石用作导热性的无机填料。

因此，本发明的目的在于提供导热性优异的尖晶石颗粒。

用于解决问题的方案

本发明人等为了解决上述课题进行了深入广泛的研究。其结果发现通过增大尖晶石颗粒的规定的晶面的微晶直径而能够解决上述课题，从而完成了本发明。

即，本发明涉及一种尖晶石颗粒，其包含镁原子、铝原子和氧原子、及钼，[111]面的微晶直径为220nm以上。