[发明专利]无焊接线和突起的半导体屏蔽有效

专利信息
申请号: 201680086811.5 申请日: 2016-06-30
公开(公告)号: CN109348719B 公开(公告)日: 2021-12-10
发明(设计)人: 宋小梅;陈红宇;孙亚斌;吴幼军;李伟;缪晓雄 申请(专利权)人: 陶氏环球技术有限责任公司
主分类号: C08L23/04 分类号: C08L23/04;C08K3/04
代理公司: 北京坤瑞律师事务所 11494 代理人: 封新琴
地址: 美国密*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 焊接 突起 半导体 屏蔽
【权利要求书】:

1.一种组合物,其包括:

(A)基于乙烯的非极性聚合物,其具有大于0.90g/cc的密度,以及190℃/2.16Kg下的20g/10分钟的熔体指数;

(B)极性聚合物,其由乙烯和具有4到20个碳原子的不饱和烷基酯组成;

(C)乙炔炭黑;以及

(D)固化剂;

条件是:(1)所述组合物具有相分离结构,(2)非极性聚合物与极性聚合物的重量比为0.25到4,和(3)所述基于乙烯的非极性聚合物具有以下各项中的至少一项(i)熔点大于或等于90℃,和(ii)结晶度≥30%。

2.根据权利要求1所述的组合物,其中所述基于乙烯的非极性聚合物包括具有3到12个碳原子的α-烯烃以及任选的二烯。

3.根据权利要求2所述的组合物,其中所述基于乙烯的非极性聚合物包括少于25wt%的衍生自所述α-烯烃的单体单元。

4.根据权利要求1所述的组合物,其中所述极性聚合物是乙烯-丙烯酸乙酯(EEA)、乙烯-丙烯酸丁酯(EBA)或乙烯-马来酸酐(EMA)中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的组合物,其中所述乙炔炭黑占所述组合物的30到38wt%。

6.根据权利要求1所述的组合物,其中所述相分离结构是双渗滤相结构。

7.一种半导体屏蔽层,其由根据权利要求1所述的组合物制成。

8.一种电缆,其包括根据权利要求7所述的半导体屏蔽层。

9.根据权利要求1所述的组合物,其中所述非极性聚合物与极性聚合物的重量比为0.67到1.5。

10.根据权利要求1所述的组合物,其中极性聚合物与非极性聚合物的共混物具有大于3.6的Tanδ/粘度。

11.根据权利要求1所述的组合物,其中极性聚合物与非极性聚合物的共混物具有低于3000mPa·s的表观粘度。

12.根据权利要求1所述的组合物,其中极性聚合物与非极性聚合物的共混物具有大于3.6的Tanδ/粘度和低于3000mPa·s的表观粘度。

13.根据权利要求12所述的组合物,其中所述极性聚合物与非极性聚合物的共混物是无焊接线的。

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